[发明专利]一种动态功耗快速瞬态响应的LDO电路

权利要求书

1.一种动态功耗快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于，包括：功率PMOS管，电压采样电路，基准电压产生兼误差电压放大电路，自适应动态功耗驱动电路，限流电路和钳位电路；所述功率PMOS管的源极连接电源电压VIN，功率PMOS管的漏极连接电压采样电路的输入端连接，所述电压采样电路的输出端连接基准电压产生兼误差电压放大电路的输入端，所述基准电压产生兼误差电压放大电路的输出端连接自适应动态功耗驱动电路的输入端，所述自适应动态功耗驱动电路的输出端连接功率PMOS管的栅极和限流电路的输入端；所述限流电路的输出端连接自适应动态功耗驱动电路的输入端；所述钳位电路包括第一、二输入端和输出端，所述钳位电路的第一输入端连接功率PMOS管的源极，第二输入端连接功率PMOS管的漏极，钳位电路的输出端连接基准电压产生兼误差电压放大电路的输出端；

所述电压采样电路将采集到的电压传送至基准电压产生兼误差电压放大电路，所述基准电压产生兼误差电压放大电路将收到的电压与基准电压比较后进行误差放大，并将放大后的电压传送至自适应动态功耗驱动电路，所述自适应动态功耗驱动电路根据收到的电压产生驱动功率PMOS管的驱动信号；所述限流电路采集功率PMOS管的输出电流，并通过自适应动态功耗驱动电路将功率PMOS管的输出电流限制在设定的阈值范围内；所述钳位电路通过比较电源电压VIN和功率PMOS管的漏极电压VOUT的大小，产生对自适应动态功耗驱动电路输入端电压进行钳位的控制信号，从而防止VIN低于预设的VOUT阈值时，自适应动态功耗驱动电路的功耗增大。

2.根据权利要求1所述的一种动态功耗快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于，该电路还包括补偿支路，所述补偿支路包括补偿电阻和补偿电容，所述补偿电阻 的一端与基准电压产生兼误差电压放大电路的输出端连接，另外一端连接补偿电容的正极，所述补偿电容的负极接地。

3.根据权利要求1所述的一种动态功耗快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于，所述采样电路包括第一采样电阻和第二采样电阻；所述第一采样电阻的一端作为采样电路的输入端，另外一端作为采样电路的输出端与第二采样电阻的一端连接，所述第二采样电阻的另外一端接地。

4.根据权利要求1所述的一种动态功耗快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于，所述基准电压产生兼误差电压放大电路包括第一耗尽型NMOS管，第二耗尽型NMOS管，第一增强型PMOS管，第二增强型PMOS管以及第一增强型NMOS管；

所述第一耗尽型NMOS管的源极和栅极均接地；第二耗尽型NMOS管的栅极和源极短接后连接第一耗尽型NMOS管的漏极，第二耗尽型NMOS管的漏极连接第一增强型PMOS管的漏极，第一增强型PMOS管的栅极与第二增强型PMOS管的栅极连接，且第一增强型PMOS管的栅极和漏极短接，第一增强型PMOS管的源极和第二增强型PMOS管的源极均连接电源电压VIN；所述第二增强型PMOS管的漏极作为基准电压产生兼误差电压放大电路的输出端与第一增强型NMOS管的漏极连接；所述第一增强型NMOS管的源极接地，栅极作为基准电压产生兼误差电压放大电路的输入端。

5.根据权利要求1所述的一种动态功耗快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于，所述自适应动态功耗驱动电路包括第二增强型NMOS管和第三增强型PMOS管；所述第二增强型NMOS管的栅极作为自适应动态功耗驱动电路的输入端，源极接地，漏极连接第三增强型PMOS管的漏极；所述第三增强型PMOS管的源极连接电源电压VIN，漏极与栅极短接后作为自适应动态功耗驱动电路的输出端。