[发明专利]一种低失调低功耗高速动态比较器及其应用

权利要求书

1.一种低失调低功耗高速动态比较器，包括预放大器、锁存器和反相器，其特征在于：

所述预放大器包括：时钟控制模块Ⅰ、第一差分信号输入端、第二差分输入端、输出节点Di+，输出节点Di-和交叉耦合模块；所述时钟控制模块Ⅰ接收控制时钟信号CLK；所述第一差分信号输入端通过第三MOS管接入第一差分输入信号Vip，所述第二差分信号输入端通过第四MOS管接入第二差分输入信号Vin；所述交叉耦合模块包括第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管；所述预放大器的输出信号通过输出节点Di+和输出节点Di-传递给锁存器；

第一MOS管和第二MOS管的源极与GND连接，第一MOS管和第二MOS管的栅极与时钟控制信号连接；第一MOS管的漏极与第三MOS管的源极连接，第二MOS管的漏极与第四MOS管的源极连接；第三MOS管的栅极与第一差分输入信号Vip连接，第四MOS管的栅极与第二差分输入信号Vin连接；第三MOS管的漏极与第五MOS管的源极、第六MOS管的源极、第七MOS管的栅极连接，第四MOS管的漏极与第七MOS管的源极、第八MOS管的源极、第六MOS管的栅极连接；第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管的漏极与VDD连接；第五MOS管和第八MOS管的栅极与时钟控制信号连接；

所述锁存器包括：时钟控制模块Ⅱ、尾电流模块、PMOS锁存器模块、NMOS锁存器模块和电流控制模块；所述时钟控制模块Ⅱ通过第十七MOS管接收时钟信号CLK；所述尾电流模块包括第九MOS管和第十二MOS管，通过所述第九MOS管和第十二MOS管的栅极接收来自预放大器的输出信号；第十三MOS管和第十四MOS管构成PMOS锁存器；第十一MOS管和第十MOS管构成NMOS锁存器；第十五MOS管和第十六MOS管构成了电流控制模块；

第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管的源极连接GND；第九MOS管的栅极接第十五MOS管的栅极、第十二MOS管的栅极接第十六MOS管的栅极；第九MOS管的漏极、第十MOS管的漏极和栅极、第十一MOS管的漏极和栅极、第十二MOS管的漏极、第十三MOS管的漏极和第十四MOS管的漏极交叉耦合连接；第十三MOS管的源极、第十四MOS管的源极、第十七MOS管的源极和漏极、第十五MOS管的漏极和第十六MOS管的漏极相互连接；第十五MOS管的源极和第十六MOS管的源极与VDD连接；第十七MOS管的栅极与时钟控制信号相连接；

所述反相器通过输出节点out⁺和out^-与锁相器相连接。

2.根据权利要求1所述的一种低失调低功耗高速动态比较器，其特征在于：所述预放大器中，第三MOS管和第四MOS管是NMOS管，第一MOS管、第二MOS管和第五MOS管~第八MOS管是PMOS管。

3.根据权利要求1所述的一种低失调低功耗高速动态比较器，其特征在于：所述锁存器中，第九MOS管~第十二MOS管是NMOS管，第十三MOS管~第十七MOS管是PMOS管。

4.根据权利要求1-3任意一种所述的一种低失调低功耗高速动态比较器在半导体集成电路中的应用。

5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于：所述半导体集成电路为一种模数转换器，所述模数转换器包括如权利要求1-3任意一种所述的动态比较器。