[发明专利]一种管靶材及其用途在审
申请号: | 202110227697.6 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN113025971A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;侯娟华 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C4/067;C23C4/16 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 王岩 |
地址: | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 管靶材 及其 用途 | ||
本发明提供一种管靶材及其用途,所述管靶材包括管体及内孔,所述内孔两端分别设置有第一螺孔和第二螺孔,所述第一螺孔内设置有第一螺纹,所述第二螺孔内设置有第二螺纹,所述管体侧面设置有铬硅合金层;所述管靶材结构简单,易加工,将所述管靶材应用于溅射镀膜中,使用效果良好能够满足更高层次的要求,延长了使用寿命。
技术领域
本发明涉及靶材技术领域,尤其涉及一种管靶材及其用途。
背景技术
溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面,把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离,其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体,击出阴极靶体原子或分子,飞向被镀基体表面沉积成薄膜。
溅射靶材是半导体集成电路制备过程中重要的原材料之一,靶材的材质主要包括Al、Ni、Cu、Ti、W、贵金属及其合金等,主要用于集成电路中接触、通孔、互连线、阻挡层、封装等物理气相沉积薄膜的制备。溅射过程中,用加速的离子轰击靶材表面使表面的原子沉积在基底表面。靶材在使用过程中,靶材的使用寿命是重要因素。
CN211443406U公开了一种旋转溅射靶材管口保护装置,管口保护装置包括一用于盖合旋转溅射靶材的管口的环盖,环盖的内侧壁与旋转溅射靶材管口的外侧壁之间设置有紧固结构,环盖通过紧固结构紧固连接于旋转溅射靶材的管口,环盖的外侧朝中心凸出成型有凸肩,凸肩的内侧与旋转溅射靶材的管口面抵顶配合,但结构较复杂。
CN211388351U公开了一种用于喷砂设备的TFT平面溅射靶材保护结构,保护结构包括有紧贴于TFT平面溅射靶材的基片的上表面的第一保护层、贴附于基片的侧面的第二保护层以及包裹设置于TFT平面溅射靶材的背板两端部的第三保护层。其中,第一保护层完全覆盖于基片的上表面;第二保护层沿基片的边缘方向闭合设置,第二保护层的底边平齐于背板的绑定面,第二保护层的上边包覆于第一保护层的边缘;在背板的绑定面,两个第三保护层的内侧边与第二保护层的底边包围形成喷砂区,但结构较复杂。
CN211972432U公开了一种平面溅射靶材,包括主板、固定孔和滑道,所述主板的下方固定有延伸板,所述固定孔的上方安置有限位块,所述滑道的内部固定有限位块,所述安装板的内部安置有固定机构,所述主板的后方固定有背板,且背板的表面设置有水槽,但结构较复杂。
因此,有必要开发一种结构简单,能够适用于溅射镀膜设备,使用效果良好的靶材,有广泛的应用前景。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题,本发明提供一种管靶材,所述管靶材包括管体及内孔,内孔两端分别设置有第一螺孔和第二螺孔,第一螺孔内设置有第一螺纹,第二螺孔内设置有第二螺纹,所述管体侧面设置有铬硅合金层,所述管靶材结构简单,易加工,将所述管靶材应用于溅射镀膜中,使用效果良好能够满足更高层次的要求,延长了使用寿命。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
第一方面,本发明提供一种管靶材,其特征在于,所述管靶材包括管体及内孔;所述内孔两端分别设置有第一螺孔和第二螺孔;所述第一螺孔内设置有第一螺纹;所述第二螺孔内设置有第二螺纹;所述管体侧面设置有铬硅合金层。
本发明中管靶材应用于溅射镀膜中,使用效果良好,设置有内孔能够装配磁铁和冷却装置,从而实现产品的溅射功能,第一螺孔与第二螺孔起到固定的作用,管体侧面设置有铬硅合金层,是为了更好实现溅射镀膜的作用,因为管靶材不是平面,表面无法焊接或者焊接工艺困难,喷涂铬硅合金层是为了应对管靶材的复杂结构,从而代替焊接。
优选地,所述管靶材的材质包括SUS304不锈钢。
优选地,所述管体的外径为65~75mm,例如可以是65mm、66mm、67mm、68mm、69mm、70mm、71mm、72mm、73mm、74mm或75mm等。
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