[发明专利]一种辉光放电质谱中钼屑的制样方法在审
申请号: | 202110227776.7 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN113030237A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;叶科奇;钟伟华 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/68 | 分类号: | G01N27/68;G01N1/28;G01N1/34 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 王岩 |
地址: | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辉光 放电 质谱中钼屑 方法 | ||
1.一种辉光放电质谱中钼屑的制样方法,其特征在于,所述制样方法包括如下步骤:将待测钼屑放置于导电基体的盲孔中,然后进行压片,完成对钼屑的制样。
2.根据权利要求1所述的制样方法,其特征在于,所述导电基体为铟圆片;
优选地,所述铟圆片的纯度为5N以上。
3.根据权利要求1或2所述的制样方法,其特征在于,所述盲孔的直径为0.6-0.8mm;
优选地,所述盲孔的深度为0.2-0.4mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制样方法,其特征在于,所述压片在压力机中进行;
优选地,所述压片的压力为8-12MPa;
优选地,所述压片的时间为8-16min。
5.根据权利要求2所述的制样方法,其特征在于,所述铟圆片为采用如下方法进行预处理的铟圆片:
(1)使用高纯钽在圆片铟表面加工盲孔;所述高纯钽的纯度为5N以上;
(2)对加工盲孔后的圆片铟依次进行第一清洗与醇洗,干燥得到所述铟圆片。
6.根据权利要求5所述的制样方法,其特征在于,步骤(1)所述盲孔的直径为0.6-0.8mm,深度为0.2-0.4mm。
7.根据权利要求5或6所述的制样方法,其特征在于,步骤(2)所述第一清洗为依次进行酸洗与去离子水漂洗;
优选地,所述酸洗为使用质量分数68wt%的硝酸清洗2-4min;
优选地,所述去离子水漂洗的次数为至少3次;
优选地,步骤(2)所述第一清洗的次数为至少3次;
优选地,步骤(2)所述醇洗为使用无水乙醇进行漂洗;
优选地,步骤(2)所述醇洗的次数为至少1次;
优选地,步骤(2)所述干燥的方法为风干。
8.根据权利要求1-7任一项所述的制样方法,其特征在于,所述待测钼屑为采用如下方法进行预处理的待测钼屑:对钼屑依次进行第二清洗与醇洗,烘干后得到所述待测钼屑。
9.根据权利要求8所述的制样方法,其特征在于,所述第二清洗为依次进行的混合酸洗与去离子水漂洗;
优选地,所述混合酸洗为使用混合酸清洗2-4min;
优选地,所述混合酸由体积比为1:(0.8-1.2):(2.5-3.5)的硝酸、氢氟酸以及去离子水组成,所述硝酸的质量分数为68wt%,所述氢氟酸的质量分数为40wt%;
优选地,所述去离子水漂洗的次数为至少3次;
优选地,所述醇洗为使用无水乙醇进行漂洗;
优选地,所述醇洗的次数为至少1次;
优选地,所述第二清洗的次数为至少3次。
10.根据权利要求1-9任一项所述的制样方法,其特征在于,所述制样方法包括如下步骤:
将待测钼屑放置于铟圆片的盲孔中,然后在压力机中进行压片,完成对钼屑的制样;铟圆片的纯度为5N以上;盲孔的直径为0.6-0.8mm,深度为0.2-0.4mm;所述压片的压力为8-12MPa,时间为8-16min;
所述铟圆片为采用如下方法进行预处理的铟圆片:
(1)使用高纯钽在圆片铟表面加工盲孔;所述高纯钽的纯度为5N以上;
(2)对加工盲孔后的圆片铟依次进行第一清洗与醇洗,风干得到所述铟圆片;所述第一清洗为依次进行酸洗与去离子水漂洗;所述酸洗为使用质量分数68wt%的硝酸清洗2-4min;所述去离子水漂洗的次数为至少3次;所述第一清洗的次数为至少3次;所述醇洗为使用无水乙醇进行漂洗至少1次;
所述待测钼屑为采用如下方法进行预处理的待测钼屑:对钼屑依次进行第二清洗与醇洗,烘干后得到所述待测钼屑;所述第二清洗为依次进行的混合酸洗与去离子水漂洗,其中去离子水漂洗的次数为至少3次;所述混合酸洗为使用混合酸清洗2-4min;所述混合酸由体积比为1:(0.8-1.2):(2.5-3.5)的硝酸、氢氟酸以及去离子水组成,所述硝酸的质量分数为68wt%,所述氢氟酸的质量分数为40wt%;所述第二清洗的次数为至少3次;所述醇洗为使用无水乙醇进行漂洗至少1次。
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