[发明专利]一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法

说明书

本发明的一个实施例公开了一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法，在金凸点植球机和倒焊机中执行，该方法包括：利用所述金凸点植球机对芯片植金凸点；响应于用户的第一操作，设置所述芯片的安全高度，用于防止操作过程中所述倒焊机的吸头损坏；响应于用户的第二操作，设置所述芯片的搜索高度，用于完整识别所述芯片；响应于用户的第三操作，设置所述芯片的倒装焊参数；响应于用户的第四操作，所述芯片与硅转接板图像聚焦；响应于用户的第五操作，所述芯片与硅转接板图像重合；响应于用户的第六操作，拾取和倒装焊所述芯片。本申请所述技术方案使得芯片凸点与硅转接板精密连接，有效提升了倒装焊的可靠性，具有广泛的应用前景。

技术领域

本发明涉及芯片领域。更具体地，涉及一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法。

背景技术

目前高密度微波子阵三维堆叠采用芯片-硅转接板倒装焊等形式，但是对于高频子阵，芯片凸点数量多，硅转接板面积大，经常出现芯片凸点与硅转接板连接不上，造成微波信号互联失效或者损耗大以及倒装焊可靠性低等问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提出了一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法，该方法在金凸点植球机和倒装焊机中执行，包括：

利用所述金凸点植球机对芯片植金凸点；

响应于用户的第一操作，设置所述芯片的安全高度，用于防止操作过程中所述倒焊机的吸头损坏；

响应于用户的第二操作，设置所述芯片的搜索高度，用于完整识别所述芯片；

响应于用户的第三操作，设置所述芯片的倒装焊参数；

响应于用户的第四操作，所述芯片与硅转接板图像聚焦；

响应于用户的第五操作，所述芯片与硅转接板图像重合；

响应于用户的第六操作，拾取和倒装焊所述芯片。

在一个具体实施例中，所述对芯片植金凸点包括：

所述芯片放置于金凸点植球机上，打开真空吸附；

响应于用户的第七操作，设置金凸点植球参数；

所述芯片与所述金凸点植球机进行对位，响应于用户的第八操作，在芯片引脚处植金凸点。

在一个具体实施例中，所述金凸点植球参数包括植球温度、植球功率、植球时间、第一压力、尾丝长度。

在一个具体实施例中，所述植球温度设置为100℃-150℃；所述植球功率设置为0.5W-1.5W；所述植球时间设置为90ms-100ms；所述第一压力设置为25g/金凸点-35g/金凸点；所述尾丝长度设置为300um-7 00um。

在一个具体实施例中，所述安全高度为所述倒装焊的吸头距离所述硅转接板的距离。

在一个具体实施例中，所述安全高度设置为5-10mm。

在一个具体实施例中，所述芯片搜索高度为硅转接板贴装完芯片上方0.05mm-0.1mm处。

在一个具体实施例中，所述倒装焊参数包括温度、超声功率、超声时间、第二压力、吸头下降速度、吸头下降到碰触芯片时的速度以及吸头夹取芯片后的速度。

在一个具体实施例中，所述温度设置为150℃-200℃；所述超声功率设置为4W-6W；所述超声时间设置为0.8s-1.2s；所述第二压力设置为30g/金凸点-50g/金凸点；所述吸嘴下降速度设置为1mm/s-5mm/s；所述吸头下降到碰触芯片时的速度设置为10um/s-50mm/s；所述吸头夹取芯片后的速度设置为5mm/s-10mm/s。