[发明专利]低频辐射单元及可分离的多频基站天线

权利要求书

1.一种低频辐射单元，其特征在于，包括介质基板、辐射体、馈电巴伦和频率选择表面地结构；所述辐射体设于所述介质基板上，所述介质基板设于所述馈电巴伦上，所述馈电巴伦设于所述频率选择表面地结构上，所述馈电巴伦的上端与所述辐射体电性连接，所述馈电巴伦的下端与所述频率选择表面地结构电性连接；所述频率选择表面地结构对高频信号构成开路，对低频信号构成地结构；所述低频辐射单元通过支撑件可拆卸式连接于反射板上，所述反射板上设有多个高频辐射单元和多个所述低频辐射单元；所述低频辐射单元的所述频率选择表面地结构可拆卸式连接于所述反射板上且位于所述高频辐射单元的上方。

2.根据权利要求1所述的低频辐射单元，其特征在于，包括第一线路板、第二线路板；

所述第一线路板包括横向的第一介质基板，所述第一介质基板的中间处向下垂直延伸设有第一竖板；

所述第二线路板包括横向的第二介质基板，所述第二介质基板的中间处向下垂直延伸设有第二竖板；

所述第一线路板的所述第一竖板和所述第二线路板的所述第二竖板相互交叉嵌合呈十字型结构，并且所述第一竖板和所述第二竖板的下端固定于所述频率选择表面地结构上；

所述第一介质基板和所述第二介质基板上均设有左右对称的两个辐射臂以形成所述辐射体，所述辐射臂中间设有多段弯折线路来实现高频滤波枝节；

所述第一竖板和所述第二竖板上均设有所述馈电巴伦，所述馈电巴伦的下端与所述频率选择表面地结构电性连接，所述馈电巴伦的上端与所述辐射臂电性连接。

3.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，所述弯折线路包括三条纵向线段和两条横向线段，其中两条纵向线段的下端分别与所述横向线段连接，所述两条纵向线段的上端分别与所述辐射臂连接，另外一条纵向线段分别与所述两条横向线段连接；所述弯折线路等效为LC并联谐振电路，所述弯折线路本身等效为电感结构，所述弯折线路的两条所述纵向线段之间的缝隙等效为电容结构，所述弯折线路对高频信号形成开路，对低频信号形成通路。

4.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，所述弯折线路的宽度小于所述辐射臂的宽度。

5.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，所述第一介质基板和所述第二介质基板上的所述辐射体的长度相等，且长度均为0.1~0.4个波长。

6.根据权利要求1所述的低频辐射单元，其特征在于，所述频率选择表面地结构为网状结构。

7.根据权利要求1所述的低频辐射单元，其特征在于，所述频率选择表面地结构等效为LC并联谐振电路，所述频率选择表面地结构对于高频信号呈现谐振并构成开路，对低频信号构成地结构。

8.一种可分离的多频基站天线，其特征在于，包括有反射板，所述反射板上设有多个高频辐射单元和多个如权利要求1~7任一项所述的低频辐射单元；所述低频辐射单元的所述频率选择表面地结构可拆卸式连接于所述反射板上且位于所述高频辐射单元的上方；所述低频辐射单元通过支撑件可拆卸式连接于所述反射板上。

9.根据权利要求8所述的可分离的多频基站天线，其特征在于，多个所述低频辐射单元组成至少一列低频线阵，所述低频线阵分布于所述频率选择表面地结构上；

所述多个高频辐射单元组成至少一列高频线阵，所述高频线阵分布于所述反射板上。

10.根据权利要求9所述的可分离的多频基站天线，其特征在于，相邻两个所述高频辐射单元之间的间距为0.3~0.7个波长；和/或

相邻两个所述低频辐射单元之间的间距为0.3~0.8个波长。

11.根据权利要求9所述的可分离的多频基站天线，其特征在于，所述多频基站天线为有源和无源一体化天线，所述高频线阵构成有源天线单元，所述低频线阵构成无源天线单元。