[发明专利]一种磁存储单元和存储器

权利要求书

1.一种磁存储单元，其特征在于，包括：

磁性隧道结，所述磁性隧道结包括依次叠堆的自由层、隧穿层、固定层和保护层，所述自由层和固定层中的磁矩具有垂直各向异性，所述保护层兼具磁存储单元信息读出时的顶电极；

自旋流引入层，所述磁性隧道结的自由层和所述自旋流引入层接触，用于在写入信息时接入控制电流，且兼具磁存储单元信息读出时的底电极；

基底，用于在脉冲电压的作用下产生一个使所述自由层磁矩方向改变的残余应变；以及

电极，所述电极包括上电极和下电极，所述上电极和下电极在基底的相对两侧，所述上电极和下电极用于施加脉冲电压。

2.根据权利要求1所述的一种磁存储单元，其特征在于，所述基底上的电极施加一脉冲电压引入不需要电压维持的残余应变，所述基底上的电极施加一与之前脉冲电压极性相反的脉冲去除残余应变。

3.根据权利要求1所述的一种磁存储单元，其特征在于，所述基底的材料为不对称残余应变压电材料。

4.根据权利要求3所述的一种磁存储单元，其特征在于，所述不对称残余应变压电材料通过在压电应变材料中掺杂Mn²⁺离子获取。

5.根据权利要求4所述的一种磁存储单元，其特征在于，所述压电应变材料包括但不限于PMN-PT、PZN-PT和PZT中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的一种磁存储单元，其特征在于，所述脉冲电压大于所述基底的矫顽电场并小于所述基底的饱和电场。

7.根据权利要求1所述的一种磁存储单元，其特征在于，所述自旋流引入层的材料包括但不限于Ta、W、Pt以及Ta、W、Pt与稀土元素合金中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的一种磁存储单元，其特征在于，所述磁性隧道结中的自由层的材料包括不限于CoFeB、隧穿层的材料包括不限于MgO、固定层的材料包括不限于CoFeB\[Co/Pt]n以及保护层的材料包括不限于Ta。

9.根据权利要求1所述的一种磁存储单元，其特征在于，所述脉冲电压作用完成后接入控制电流写入信息。

10.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求1-9中任一项所述的磁存储单元。