[发明专利]一种高性能带隙基准的低功耗电压源

权利要求书

1.一种高性能带隙基准的低功耗电压源，包括第一启动电路、第二前置控制电路、第三亚阈电流产生电路、第四负温度系数电路、第五正温度系数电路以及第六后置反馈电路；

其特征在于：

所述第一启动电路的输出端连接所述第三亚阈电流产生电路，并接收所述第六后置反馈电路从所述电压源输出端产生的后置反馈信号；

所述第二前置控制电路产生第一前置控制信号和第二前置控制信号；

所述第一前置控制信号发送至所述第一启动电路的输出端，与所述第一启动电路的输出信号加权后，作为所述第三亚阈电流产生电路的输入；

所述第三亚阈电流产生电路的输出端分别连接至所述第四负温度系数电路和第五正温度系数电路；

所述第二前置控制信号发送至所述第三亚阈电流产生电路的输出端，与所述第三亚阈电流产生电路的输出信号加权后，作为所述第四负温度系数电路和第五正温度系数电路的输入；

所述第四负温度系数电路和第五正温度系数电路各自的输出信号经加权电路处理后，作为所述电压源的输出信号Vref。

2.如权利要求1所述的一种高性能带隙基准的低功耗电压源，其特征在于：

所述第一启动电路包括第一至第十晶体管M1-M10；

第一晶体管M1连接至电压源VDD，并且通过源极连接至所述第二前置控制电路、第四晶体管M4的栅极以及第七晶体管M7的源极；

第二晶体管M2的栅极连接至第一晶体管M1的漏极以及第三晶体管M3的栅极；

第三晶体管M3的漏极与第四晶体管的漏极、栅极以及第五晶体管M5的漏极连接；

所述第五晶体管M5通过栅极连接至第八晶体管M8与第十晶体管M10；

所述第五晶体管M5还通过源极连接至第六晶体管M6的漏极；

所述第六晶体管M6与第九晶体管M9通过栅极对接，第九晶体管M9与所述第十晶体管通过源极对接；

所述第一启动电路通过所述第十晶体管M10的栅极接收所述第六后置反馈电路发送的后置反馈信号；

所述第一启动电路通过所述第七晶体管M7的栅极与所述第三亚阈电流产生电路连接。

3.如权利要求1所述的一种高性能带隙基准的低功耗电压源，其特征在于：

所述第二前置控制电路包括第一PMOS管M11、第三PMOS管M13、第五PMOS管M15、第二NMOS管M12、第四NMOS管M14以及可变电容C和可变电阻R；

其中，M11和M12通过栅极对接，M13和M14通过栅极对接；

M13、M11和M15的源极连接，并共同连接至可变电容C的第一端；

M15的漏极连接至可变电容C的第二端；

所述可变电容的第二端与所述可变电阻的第一端连接；

M14的源极连接至所述可变电容的第一端，并连接至所述第一启动电路。

4.如权利要求1所述的一种高性能带隙基准的低功耗电压源，其特征在于：

所述第三亚阈电流产生电路包括两个PMOS管构成的电流镜电路，产生亚阈工作电流。

5.如权利要求1所述的一种高性能带隙基准的低功耗电压源，其特征在于：

所述第四负温度系数电路包括多个尺寸完全一致的NPOS管，所述多个NPOS管的动作状态相同，同时处于饱和状态或者亚阈状态。

6.如权利要求1所述的一种高性能带隙基准的低功耗电压源，其特征在于：

所述第五正温度系数电路包括级联正温度系数电路和电压调压管；

所述级联正温度系数电路包括两组不同的共栅串联NMOS管，所述两组不同的共栅串联NMOS管的漏极电流均来源于所述第三亚阈电流产生电路产生的亚阈电流。

7.如权利要求1-6任一项所述的一种高性能带隙基准的低功耗电压源，其特征在于：

所述第六后置反馈电路包括第一两级滤波电路和和第二差分放大电路；

所述第一两级滤波电路输出两路滤波电压，作为所述第二差分放大电路的输入。