[发明专利]降低D类放大器中的待机功耗的系统和方法在审

专利信息
申请号: 202110230832.2 申请日: 2021-03-02
公开(公告)号: CN113497589A 公开(公告)日: 2021-10-12
发明(设计)人: A.A.汉德;M.E.西伯;A.C.斯泰尔 申请(专利权)人: 哈曼专业股份有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/217
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 高巍
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 降低 放大器 中的 待机 功耗 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种D类放大器系统,包括:

第一半桥级;

第二半桥级,所述第二半桥级与所述第一半桥级交错;

负载电路;

耦合电感器,所述耦合电感器具有初级绕组和次级绕组,所述初级绕组的第一端在第一节点处耦合至所述第一半桥级,所述初级绕组的第二端耦合至所述负载电路,所述次级绕组的第一端耦合至所述负载电路,所述次级绕组的第二端在第二节点处耦合至所述第二半桥级;以及

电感器电路,所述电感器电路耦合在所述第一和第二半桥级与所述负载电路的第一端之间。

2.如权利要求1所述的放大器,其中所述电感器电路还包括所述耦合电感器的漏电感。

3.如权利要求2所述的放大器,其中所述电感器电路是所述初级绕组的漏电感和所述次级绕组的漏电感。

4.如权利要求3所述的放大器,还包括:

第一电感器,所述第一电感器与所述初级绕组的所述漏电感和所述第一半桥级串联;以及

第二电感器,所述第二电感器与所述次级绕组的所述漏电感和所述第二半桥级串联。

5.如权利要求2所述的放大器,其中所述耦合电感器的所述漏电感被反射到所述耦合电感器的次级侧。

6.如权利要求5所述的放大器,还包括与所述耦合电感器的所述漏电感和所述负载串联的电感器。

7.一种用于降低具有交错的第一和第二半桥级的D类放大器系统中的功耗的方法,所述方法包括:

将耦合电感器的初级绕组配置到所述第一半桥级和负载;

将所述耦合电感器的次级绕组配置到所述负载和所述第二半桥级;以及

配置所述负载与所述第一和第二半桥级之间的电感电路,其中所述耦合电感器减小所述第一和第二半桥级的每个相中的峰值纹波电流,并且所述电感器电路减小所述负载处的输出纹波电流。

8.如权利要求7所述的方法,其中配置电感电路的步骤还包括将所述电感电路配置为所述耦合电感器的漏电感。

9.如权利要求8所述的方法,其中配置电感电路的步骤还包括将所述电感电路配置为所述初级绕组的漏电感和所述次级绕组的漏电感。

10.如权利要求9所述的方法,其中所述电感电路还包括第一和第二电感器,所述方法还包括以下步骤:

将所述第一电感器配置为与所述第一半级电桥和所述耦合电感器的初级绕组的第一端串联;以及

将所述第二电感器配置为与所述第二半级电桥和所述次级绕组的第二端串联。

11.如权利要求8所述的方法,其中配置所述电感电路的步骤还包括以下步骤:

将所述初级绕组的漏电感配置到所述耦合电感器的次级侧;以及

将所述次级绕组的漏电感配置到所述耦合电感器的次级侧。

12.如权利要求8所述的方法,其中所述电感电路还包括第一电感器,所述方法还包括以下步骤:将所述第一电感器配置为与所述耦合电感器和所述负载串联。

13.一种放大器系统,包括:

第一和第二半桥,所述第一和第二半桥被配置成彼此异相180°;

耦合电感器,所述耦合电感器具有初级绕组和次级绕组,且被配置成限制每相峰值纹波电流;以及

电感电路,所述电感电路被配置成减小输出纹波电流。

14.如权利要求13所述的系统,其中所述电感电路是所述耦合电感器的漏电感。

15.如权利要求14所述的系统,其中所述耦合电感器的所述漏电感还包括所述初级绕组的漏电感和所述次级绕组的漏电感。

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