[发明专利]封装结构

说明书

本发明公开一种激光封装结构，其包括：基板具有第一表面，激光芯片，设于第一表面上；一支架，设于第一表面上且围绕激光芯片，且包括电性导通结构垂直贯穿其间；以及光学元件设于支架上，其中光学元件通过电性导通结构而电连接于基板。

技术领域

本发明涉及一种封装结构，特别是涉及一种垂直共振腔面射型激光(VerticalCavity Surface Emitting Laser，VCSEL)元件封装结构。

背景技术

参阅图1，现有激光芯片110，例如垂直共振腔面射型激光(Vertical CavitySurface Emitting Laser，VCSEL)元件，在封装时先将激光芯片110固晶于陶瓷基板100上、进行打线形成线路120后，在激光芯片110周围设置间隔件(Spacer)130供形成区隔空间140，此区隔空间140作空气层(Air Layer)之用。接着覆以光学元件150而完成单颗芯片的封装制作工艺，形成激光芯片封装结构10，供后续连接于外部电路板，其中，光学元件150包含微型透镜阵列(Micro Lens Array,MLA)或绕射光学元件(Diffraction OpticalElement，DOE)，可将激光芯片110射出的光束转换成均匀的面光源、阵列点光源或者不规则散布的点光源。

参阅图2，为进一步考虑激光芯片在模块应用上的保护机制(Eye-Safety)，在激光芯片封装结构20内设置光电二极管(Photodiode)220，利用打线方式于封装结构20内形成分别连接激光芯片110和光电二极管220的线路210、215，当激光芯片110射出一激光通过上方光学元件150时，激光会被转换成均匀的面光源、阵列点光源或者散布的点光源并打在外部的物体上时会被反射成回射光，可利用光电二极管220吸收此回射光用以监控光学元件150的功能。当光学元件150破损或劣化时，此回射光的角度与原先不同导致光电二极管220无法接收回射光，由此判知光学元件150已损坏进而停止激光芯片110继续运作。

发明内容

本发明提供一种封装结构，是以晶片级封装(Wafer Level Package；WLP)制作工艺制得芯片级封装结构(Chip Scale Package，CSP)，可提高激光芯片的封装产出，并可减小其封装结构尺寸。

本发明提供一种封装结构，其利用可电性导通的支架的设置，提供激光芯片在模块应用上的新颖保护机制，从而减小模块的体积，并大幅降低外部线路断线而导致模块失效的风险，同时也可节省其制造成本。

根据本发明，提出一种封装结构，包括：基板，具有一第一表面；半导体芯片设于第一表面上；支架，设于第一表面上且围绕半导体芯片，且包括电性导通结构垂直贯穿其间；以及光学元件设于支架上，其中光学元件通过电性导通结构而电连接于基板。

根据本发明，提出一种封装结构，包括：半导体芯片，包括第一表面、第二表面、侧面、第一导电结构和第二导电结构位于其第一表面上，，且第二表面与第一表面相对；胶层，围绕半导体芯片的侧面；间隔件，相应地设于胶层上且围绕激光芯片；以及光学元件，朝向半导体芯片的第二表面而设于间隔件上

附图说明

为能更进一步了解本发明的特征与技术内容，请参阅下述有关本发明实施例的详细说明及如附的附图。但是所揭详细说明及如附的附图仅提供参考与说明之用，并非用以对本发明加以限制；其中：

图1为一种现有激光封装结构的剖面示意图；

图2为一种现有设有保护机制的激光封装结构的剖面示意图；

图3为本发明的一实施例的封装结构的剖面示意图；

图4A至图4F为本发明的一实施例的封装结构制作流程步骤的剖面示意图；

图5A至图5C为本发明的一实施例的封装结构制作流程步骤的剖面示意图；

图6A至图6B为本发明的一实施例的封装结构制作流程步骤的剖面示意图；