[发明专利]氧化铝烧结体的制法以及氧化铝烧结体

说明书

本发明提供一种氧化铝烧结体的制法以及氧化铝烧结体。该制法包含：(a)获得成形体的工序，将包含Al₂O₃粉末、MgO粉末、MgF₂粉末、溶剂、分散剂以及凝胶化剂的浆料投入成形模具中，在成形模具内使凝胶化剂进行化学反应而使浆料凝胶化，然后脱模，获得成形体，(b)获得预烧体的工序，将该成形体干燥后脱脂，并预烧，获得预烧体，(c)获得陶瓷烧结体的工序，对预烧体在1150～1350℃热压煅烧，获得陶瓷烧结体。在工序(a)中，在调制浆料时，作为Al₂O₃粉末使用纯度为99.9质量％以上的Al₂O₃粉末，相对于Al₂O₃粉末100质量份使用0.1～0.2质量份的MgO粉末、0.13质量份以下的MgF₂粉末。

本发明是申请号为201610178014.1、申请日为2016年3月25日、发明名称为“氧化铝烧结体的制法以及氧化铝烧结体”的发明申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及氧化铝烧结体的制法以及氧化铝烧结体。

背景技术

一直以来，在对半导体晶片实施成膜、蚀刻等表面处理时，有时会使用静电卡盘。作为静电卡盘，已知有在圆板状的氧化铝基板中埋设静电电极，使氧化铝基板的一面成为晶片载置面的静电卡盘。若在该静电卡盘的晶片载置面载置有半导体晶片的状态下对静电电极进行通电，则在静电电极与半导体晶片之间产生静电，半导体晶片通过该静电而被吸附保持于晶片载置面。另外，在氧化铝基板中，有时也会与静电电极一同埋设加热电极。在该情况下，若在晶片载置面载置有半导体晶片的状态下对加热电极进行通电，则半导体晶片由加热电极加热。作为在这样的静电卡盘中使用的氧化铝基板的制法，已知有专利文献1中记载的方法。根据该方法，首先，制作包含纯度99.7％的氧化铝粉末、少量的MgO原料粉、粘合剂、水以及分散剂的浆料。接着，对该浆料进行喷雾干燥，在500℃去除粘合剂来制作氧化铝颗粒。将该氧化铝颗粒填充于金属模具，进行冲压成形而制成成形体。将该成形体设置于碳制的承烧钵，通过热压煅烧而制成氧化铝烧结体。热压煅烧例如在100kg/cm²的加压下、氮气气氛(150kPa)中，在1600℃保持2小时这样的条件下进行。对由此获得的氧化铝烧结体进行磨削加工，制成氧化铝基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-53316号公报

发明内容

但是，上述静电卡盘存在在高温下的脱附响应性的偏差大这样的问题。已知脱附响应性与体积电阻率、耐电压具有相关性。因此，人们期望开发出一种与以往相比在高温下的体积电阻率、耐电压高且每生产批次的体积电阻率、耐电压的偏差小的氧化铝烧结体。

本发明是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于，提供一种在高温下的体积电阻率、耐电压高且每生产批次的体积电阻率、耐电压的偏差小的氧化铝烧结体。

本发明的氧化铝烧结体的制法包含如下工序：

(a)获得成形体的工序，通过将包含Al₂O₃粉末、MgO粉末、MgF₂粉末、溶剂、分散剂以及凝胶化剂的浆料投入至成形模具中，在前述成形模具内使前述凝胶化剂进行化学反应而使前述浆料凝胶化，然后进行脱模，从而获得成形体，

(b)获得预烧体的工序，通过将该成形体干燥后进行脱脂，并进一步进行预烧，从而获得预烧体，

(c)获得陶瓷烧结体的工序，通过对前述预烧体在1150～1350℃进行热压煅烧，从而获得陶瓷烧结体，