[发明专利]一种磁屏蔽腔体、测量系统及测量方法

权利要求书

1.一种磁屏蔽腔体，用于形成零磁场环境，其特征在于，所述磁屏蔽腔体包括：

内腔体，具有第一开口；

外腔体，具有第二开口；所述外腔体包覆于所述内腔体的外部，且所述第二开口对应于所述第一开口；

第一延伸板，连接于所述第二开口的边缘，并向外部延伸；以及

第二延伸板，连接于所述第二开口的边缘，并与所述第一延伸板相对设置，且向外部延伸；所述第一延伸板和所述第二延伸板之间形成一平移通道；

其中，外界物体能够通过一次平移运动依次穿过所述平移通道、所述第二开口和所述第一开口而进入所述内腔体内部。

2.根据权利要求1所述的磁屏蔽腔体，其特征在于，所述外界物体为霍尔传感器；

其中，沿着与所述平移运动的方向相反的方向移动所述霍尔传感器，所述霍尔传感器能够从所述内腔体移出，以测量被测磁铁的磁场强度。

3.根据权利要求1所述的磁屏蔽腔体，其特征在于，所述内腔体和所述外腔体均为圆柱型结构。

4.根据权利要求3所述的磁屏蔽腔体，其特征在于，所述内腔体包括内侧壁、连接于所述内侧壁一端的内顶壁和连接于所述内侧壁另一端的内底壁；

所述第一开口包括第一子开口和第二子开口，所述第一子开口设于所述内侧壁，所述第二子开口设于所述内底壁，所述第一子开口与所述第二子开口相连通。

5.根据权利要求4所述的磁屏蔽腔体，其特征在于，所述第一子开口沿着所述内腔体的轴向方向设置，所述第二子开口沿着所述内腔体的径向方向设置。

6.根据权利要求5所述的磁屏蔽腔体，其特征在于，所述第一子开口的长度大于所述内侧壁高度的一半，以使所述外界物体能够移动至所述内腔体的沿轴向方向的中心。

7.根据权利要求5所述的磁屏蔽腔体，其特征在于，所述第二子开口的长度大于所述内底壁的半径，以使所述外界物体能够移动至所述内腔体的沿径向方向的中心。

8.根据权利要求4所述的磁屏蔽腔体，其特征在于，所述外腔体包括外侧壁、连接于所述外侧壁一端的外顶壁和连接于所述外侧壁另一端的外底壁；

所述第二开口包括第三子开口和第四子开口，所述第三子开口设于所述外侧壁，且与所述第一子开口对应设置，所述第四子开口设于所述外底壁，且与所述第二子开口对应设置；所述第三子开口和所述第四子开口相连通。

9.一种测量系统，用于检测霍尔传感器的偏置电压以及测量被测磁铁的磁场强度，其特征在于，所述测量系统包括：

被测磁铁；

如权利要求1至8任一项所述的磁屏蔽腔体；所述磁屏蔽腔体的至少部分第一开口和至少部分第二开口均朝向所述被测磁铁；以及

运动平台，用于驱动所述霍尔传感器产生平移运动，以使所述霍尔传感器能够进出所述磁屏蔽腔体。

10.一种测量方法，用于检测霍尔传感器的偏置电压以及测量被测磁铁的磁场强度，其特征在于，所述测量方法包括以下步骤：

提供被测磁铁和霍尔传感器，所述霍尔传感器位于所述被测磁铁的中心线上；

提供如权利要求1至8任一项所述的磁屏蔽腔体，所述磁屏蔽腔体位于所述被测磁铁的中心线上，且所述磁屏蔽腔体的至少部分第一开口和至少部分第二开口朝向所述被测磁铁；

驱动所述霍尔传感器产生平移运动，以使所述霍尔传感器通过所述磁屏蔽腔体的平移通道、第二开口和第一开口能够进出所述磁屏蔽腔体；

其中，当所述霍尔传感器位于所述磁屏蔽腔体的内部时，获得所述霍尔传感器的偏置电压；

当所述霍尔传感器位于所述磁屏蔽腔体的外部时，利用所述霍尔传感器，测量所述被测磁铁的磁场强度。