[发明专利]一种Mini LED背光板的制作方法及Mini LED背光板有效
申请号: | 202110231750.X | 申请日: | 2021-03-02 |
公开(公告)号: | CN113053940B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 李兰艳 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mini led 背光板 制作方法 | ||
1.一种Mini LED背光板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:提供基板,所述基板一侧的表面上划分有多个显示区,所述基板一侧的表面上除去所述多个显示区的其他区域为非显示区,所述非显示区内划分有多个标记区,所述多个标记区分别与所述多个显示区一一对应设置,所述标记区上设置有金属标记物,所述非显示区内还划分有任意相邻两个所述显示区分隔开的多条切割区;
在所述基板一侧的表面上罩上面罩,所述面罩覆盖所述基板一侧的表面的所述多个显示区和部分所述非显示区,以使所述多个标记区和所述多条切割区裸露在外,采用亲水性材料在所述多个标记区和所述多条切割区上形成一层薄膜;
移开所述面罩,在所述基板一侧的整个表面上涂布疏水性的材料形成钝化涂层;
将所述基板沿着所述多条切割区切割形成单片的背光板。
2.根据权利要求1所述的MiniLED背光板的制作方法,其特征在于,所述钝化涂层的材料为WPR;
移开所述面罩,在所述基板一侧的表面上涂布疏水性的材料形成钝化涂层的步骤与将所述基板沿着所述多条切割区切割形成单片的背光板的步骤之间还包括如下步骤:
对所述基板依次进行第一次烘烤、曝光、显影和第二次烘烤处理。
3.根据权利要求2所述的MiniLED背光板的制作方法,其特征在于,所述钝化涂层的厚度小于10微米。
4.根据权利要求2所述的MiniLED背光板的制作方法,其特征在于,所述亲水性材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
5.根据权利要求4所述的MiniLED背光板的制作方法,其特征在于,采用蒸汽喷雾方式或喷淋方式将所述亲水性材料在所述多个标记区和多条切割区上形成所述薄膜。
6.一种Mini LED背光板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:提供基板,所述基板一侧的表面上划分有多个显示区,所述基板一侧的表面上除去所述多个显示区的其他区域为非显示区,所述非显示区内划分有将任意相邻两个所述显示区分隔开的多条切割区;
在所述基板一侧的表面上罩上面罩,所述面罩覆盖所述基板一侧的表面的所述多个显示区和部分所述非显示区,以使所述多条切割区裸露在外,采用亲水性材料在所述多条切割区上形成一层薄膜;
移开所述面罩,在所述基板一侧的整个表面上涂布疏水性的材料形成钝化涂层;
将所述基板沿着所述多条切割区切割形成单片的背光板。
7.根据权利要求6所述的MiniLED背光板的制作方法,其特征在于,提供基板,所述基板一侧的表面上划分有多个显示区,所述基板一侧的表面上除去所述多个显示区的其他区域为非显示区,所述非显示区内划分有将任意相邻两个所述显示区分隔开的多条切割区的步骤包括:
所述非显示区内还划分有多个标记区,所述多个标记区分别与所述多个显示区一一对应设置,所述标记区上设置有金属标记物;
在所述基板一侧的表面上罩上面罩,所述面罩覆盖所述基板一侧的表面的所述多个显示区和部分所述非显示区,以使所述多条切割区裸露在外,采用亲水性材料在所述多条切割区上形成一层薄膜的步骤包括:
所述面罩覆盖所述基板一侧的表面的所述多个显示区和部分所述非显示区,以使所述多个标记区和多条切割区裸露在外,采用亲水性材料在所述多个标记区和多条切割区上形成一层薄膜。
8.根据权利要求6所述的Mini LED背光板的制作方法,其特征在于,所述钝化涂层的材料为WPR;
移开所述面罩,在所述基板一侧的表面上涂布疏水性的材料形成钝化涂层的步骤与将所述基板沿着所述多条切割区切割形成单片的背光板的步骤之间还包括如下步骤:
对所述基板依次进行第一次烘烤、曝光、显影和第二次烘烤处理。
9.一种Mini LED背光板,其特征在于,采用如权利要求1-8中任一项所述制作方法制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的