[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。使基板处理装置得到较高的生产率并减小占地面积。该装置包括：第1单位模块，其包括第1基板输送区域、分别设为面向第1基板输送区域的左右的一侧、另一侧的第1处理组件、第2处理组件、分别设于第1基板输送区域的左右的一侧、另一侧且分别用于向第1处理组件、第2处理组件交接基板的第1输送机构、第2输送机构；第2单位模块，其包括第2基板输送区域和第3输送机构，与第1单位模块层叠；基板送入送出模块，其相对于单位模块的层叠体设于左右的一侧，分别向第1输送机构、第3输送机构交接基板；中继模块，其相对于单位模块的层叠体设于左右的另一侧，分别向第2输送机构、第3输送机构交接基板。

技术领域

本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

为了制造半导体装置，对作为基板的半导体晶圆(以下，记作晶圆)进行各种各样的处理。作为该半导体装置的制造工序中的一个工序，例如进行光刻。具体而言，在该光刻中，进行在晶圆涂布抗蚀剂而形成抗蚀膜和供给显影液而对曝光完成的抗蚀膜进行显影。例如在专利文献1中记载了一种进行这样的抗蚀膜的形成和显影的基板处理装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-219434号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种对于基板处理装置能够得到较高的生产率并且减小占地面积的技术。

用于解决问题的方案

本公开的基板处理装置包括：第1单位模块，其包括左右延伸的第1基板输送区域、设为面向该第1基板输送区域的左右的一侧的第1处理组件、设为面向该第1基板输送区域的左右的另一侧的第2处理组件、以及设于所述第1基板输送区域的左右的一侧且用于向所述第1处理组件交接基板的第1输送机构、设于所述第1基板输送区域的左右的另一侧且用于向所述第2处理组件交接基板的第2输送机构；第2单位模块，其包括左右延伸的第2基板输送区域和在该第2基板输送区域沿左右输送所述基板的第3输送机构，该第2单位模块与所述第1单位模块层叠地设置；基板送入送出模块，其相对于由所述第1单位模块和所述第2单位模块构成的单位模块的层叠体设于左右的一侧，该基板送入送出模块在该第1单位模块的高度和第2单位模块的高度包括载置所述基板的一侧载置部，以分别向所述第1输送机构、所述第3输送机构交接基板，并且该基板送入送出模块包括载置用于收纳所述基板的载体的载体台；中继模块，其相对于所述单位模块的层叠体设于左右的另一侧，该中继模块在所述第1单位模块的高度和所述第2单位模块的高度包括载置所述基板的另一侧载置部，以分别向所述第2输送机构、所述第3输送机构交接基板；另一侧输送机构，其设于所述中继模块，以在各所述另一侧载置部之间输送所述基板；以及一侧输送机构，其在所述载体和各所述一侧载置部之间输送所述基板，为了使在所述第1处理组件完成处理后且在所述第2处理组件进行处理前的基板依次经过所述第2单位模块、所述中继模块而自所述第1单位模块的另一侧向所述第2处理组件输送，将所述一侧输送机构设于所述基板送入送出模块，以自所述第1单位模块的高度的一侧载置部向所述第2单位模块的高度的一侧载置部输送该基板。

对于上述基板处理装置，也可以是，在所述第2单位模块，面向所述第2基板输送区域地设有利用所述第3输送机构交接所述基板的第3处理组件，该第3处理组件对在所述第1处理组件进行了处理后且在所述第2处理组件进行处理前的所述基板进行处理。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第1处理组件和所述第3处理组件包括向所述基板供给涂布液而形成涂布膜的涂布组件。