[发明专利]硅片刻蚀装置和方法

权利要求书

1.一种硅片刻蚀装置，其特征在于,包括壳体（1）、臭氧供应件（2）、雾化刻蚀液供应件（3）、厚度检测件（4）、控制件和排气管（5），所述臭氧供应件（2）能够向所述壳体（1）的内腔中供应臭氧，所述雾化刻蚀液供应件（3）能够向所述壳体（1）的内腔中供应雾化的刻蚀液，厚度检测件（4）能够检测放置在所述壳体（1）内的硅片（6）被刻蚀表面的厚度变化，排气管（5）安装在所述壳体（1）上，所述壳体（1）包括底座（13）、安装在所述底座（13）上的筒体（12）和安装在所述筒体（12）上端的上盖（11），当所述厚度检测件（4）检测到硅片（6）被刻蚀的厚度达到设定值时，所述控制件控制所述臭氧供应件（2）停止供应臭氧，并控制所述雾化刻蚀液供应件（3）停止供应雾化的刻蚀液。

2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述厚度检测件（4）包括光发射器、光接收器和信号处理器，所述光发射器发射光线到所述硅片（6）被刻蚀表面，所述光接收器接收所述硅片（6）被刻蚀表面反射的光线，所述信号处理器根据光发射器发出光线到光接收器接收光线所用时间计算出所述硅片（6）被刻蚀表面的厚度变化。

3.根据权利要求2所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述厚度检测件（4）还包括显示器，所述显示器能够显示所述硅片（6）被刻蚀表面的厚度变化。

4.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述雾化刻蚀液供应件（3）包括雾化器（31）、雾化供应管（32）、刻蚀液供应管（33）和第二氮气供应管（34），所述刻蚀液供应管（33）和第二氮气供应管（34）与所述雾化器（31）的输入口连通，所述雾化供应管（32）与所述雾化器（31）输出口连接，所述雾化供应管（32）的输出口位于所述壳体（1）内，所述第二氮气供应管（34）和刻蚀液供应管（33）上均安装有阀门。

5.根据权利要求4所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述雾化供应管（32）有多根。

6.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述臭氧供应件（2）包括臭氧发生器（21）、臭氧供应管（22）、氧气供应管（23）和第一氮气供应管（24），所述氧气供应管（23）和第一氮气供应管（24）与所述臭氧发生器（21）的进气口连通，所述臭氧供应管（22）与所述臭氧发生器（21）的出气口连通，所述臭氧供应管（22）的输出口位于所述壳体（1）内，所述氧气供应管（23）和第一氮气供应管（24）上均设置有阀门。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述底座（13）上开设有圆形槽（14），所述圆形槽（14）的大小与所述硅片（6）的大小相同，所述圆形槽（14）的槽底上安装有能够升降的支撑杆（15），所述硅片（6）能够放置在所述支撑杆（15）上，并能够随之所述支撑杆（15）的下降而进入所述圆形槽（14）内。

8.根据权利要求7所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述支撑杆（15）的数量为多根，每根所述支撑杆（15）均包括支杆（151）和安装在所述支杆（151）上的支撑平台（152）。

9.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述排气管（5）安装在所述壳体（1）的下端，所述排气管（5）有多根，多根所述排气管（5）在壳体（1）上均布。

10.一种硅片刻蚀方法，其特征在于，包括：

向硅片（6）待刻蚀表面同时输送臭氧和雾化的刻蚀液；

检测所述硅片（6）被刻蚀表面的厚度变化；

当检测到所述硅片（6）被刻蚀表面的厚度变化达到设定值时，停止输送臭氧和雾化的刻蚀液。