[发明专利]半导体加工设备在审
申请号: | 202110232610.4 | 申请日: | 2021-03-02 |
公开(公告)号: | CN113053785A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 周厉颖;宋新丰;杨帅;光耀华 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人: | 邬剑星 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 | ||
1.一种半导体加工设备,包括反应腔室,其特征在于,所述半导体加工设备还包括门组件,所述门组件设置于所述反应腔室的设有排气口的一端,所述反应腔室上设有用于阻碍工艺气体泄露的密封腔,所述密封腔通过引入惰性气体,以使所述密封腔内的气体压力大于所述反应腔室内的气体压力;所述排气口用于排出所述反应腔室中通入的所述工艺气体以及所述密封腔内的所述惰性气体。
2.根据权利要求1所述的半导体加工设备,其特征在于,所述门组件包括支撑盘、基座和固定环,所述基座设于所述支撑盘上,所述固定环设于所述基座的外围并将所述基座固定于所述支撑盘,所述固定环和所述基座之间存在第一缝隙;
所述密封腔包括第一密封腔,所述第一密封腔设置于所述基座与所述反应腔室接合的一侧;
所述固定环设有进气通道,且所述进气通道与所述第一缝隙连通。
3.根据权利要求2所述的半导体加工设备,其特征在于,所述密封腔还包括第二密封腔,所述第二密封腔设置于所述基座与所述支撑盘接合的一侧。
4.根据权利要求3所述的半导体加工设备,其特征在于,所述基座与所述反应腔室接合的一侧开设有第一凹槽,所述反应腔室的腔体覆盖所述第一凹槽并形成所述第一密封腔;
所述基座与所述支撑盘接合的一侧开设有第二凹槽,所述支撑盘覆盖所述第二凹槽并形成所述第二密封腔。
5.根据权利要求3所述的半导体加工设备,其特征在于,所述进气通道沿第一方向贯穿所述固定环,且沿第二方向,所述进气通道位于所述第一密封腔和第二密封腔之间,所述第一方向与所述第二方向垂直。
6.根据权利要求2所述的半导体加工设备,其特征在于,沿所述固定环的环形走向,所述固定环均匀分布有若干所述进气通道。
7.根据权利要求2所述的半导体加工设备,其特征在于,所述门组件还包括安装盘、驱动装置和驱动轴,所述安装盘固定于所述支撑盘背向所述反应腔室的一侧;
所述密封腔还包括第三密封腔,所述第三密封腔位于所述安装盘和所述支撑盘之间;
所述驱动装置固定于所述安装盘的远离所述支撑盘的一侧,所述驱动装置与所述驱动轴连接,所述驱动轴依次穿过所述安装盘、所述支撑盘和所述基座并伸入所述反应腔室内,且与承载硅片的组件连接,所述驱动轴与所述支撑盘和所述基座之间存在第二缝隙,所述第三密封腔通过所述第二缝隙与所述反应腔室连通。
8.根据权利要求7所述的半导体加工设备,其特征在于,所述安装盘设有内腔,所述内腔和所述支撑盘围成所述第三密封腔。
9.根据权利要求1所述的半导体加工设备,其特征在于,还包括进气组件,所述进气组件用于向所述密封腔传输所述惰性气体,所述进气组件上设有气动阀、压力表和流量控制器。
10.根据权利要求9所述的半导体加工设备,其特征在于,所述惰性气体包括氮气或氩气,和/或所述工艺气体包括氯化氢。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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