[发明专利]光学级的钒补偿的4H单晶和6H单晶，以及碳化硅晶体和用于生产其的方法在审
| 申请号： | 202110232966.8 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113337891A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 伊利亚·茨维巴克;瓦拉他拉扬·伦加拉扬;安德鲁·N·苏齐兹;加里·E·鲁兰 | 申请（专利权）人： | II-VI特拉华有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02;C30B29/66;G02B1/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;孙雅雯 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 补偿 以及 碳化硅 晶体 用于 生产 方法 | ||
1.一种光学装置，包括：
钒补偿的高电阻率的6H多型或4H多型碳化硅(SiC)单晶；
其中所述SiC单晶被配置成用于透射波长在420nm至4.5μm范围内的光；以及
其中所述光学装置包括用于透射波长在420nm至4.5μm范围内的所述光的窗、透镜、棱镜、或波导。
2.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述SiC单晶为钒补偿的4H-SiC单晶，以及其中所述光的波长小于450nm。
3.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述SiC单晶为钒补偿的6H多型Nu型SiC单晶，以及具有大于或等于1·1010Ωcm的电阻率。
4.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述SiC单晶为钒补偿的4H多型Nu型SiC单晶，以及具有大于或等于1·1012Ωcm的电阻率。
5.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述SiC单晶为钒补偿的6H多型Nu型SiC单晶，以及具有大于1·1011Ωcm的电阻率，以及其中所述光的波长为红外的。
6.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述SiC单晶为钒补偿的4H多型Nu型SiC单晶，以及具有大于5·1012Ωcm的电阻率，以及其中所述光的波长为红外的。
7.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述SiC单晶为在浅杂质背景中硼占优势下的钒补偿的6H多型Pi型SiC单晶，以及具有大于1·1011Ωcm的电阻率，以及其中所述光的波长为红外的。
8.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述SiC单晶为在浅杂质背景中硼占优势下的钒补偿的4H多型Pi型SiC单晶，以及具有大于1·1013Ωcm的电阻率，以及其中所述光的波长为红外的。
9.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述SiC单晶为在浅杂质背景中硼占优势下的钒补偿的4H多型Pi型SiC单晶，以及具有大于1·1013Ωcm的电阻率。
10.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述SiC单晶为在浅杂质背景中硼占优势下的钒补偿的6H多型Pi型SiC单晶，以及具有大于5·1011Ωcm的电阻率。
11.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述SiC单晶为在浅杂质背景中铝占优势下的钒补偿的Pi型6H-SiC单晶，以及具有1·105Ωcm至1·108Ωcm的电阻率。
12.一种光学传输系统，包括：
光源，所述光源用于产生波长在420nm至4.5μm范围内的光；和
用于接收和透射所述光的光学装置，其中所述光学装置包含钒补偿的高电阻率的6H多型或4H多型碳化硅(SiC)单晶。
13.根据权利要求12所述的光学传输系统，其中所述SiC单晶为钒补偿的4H-SiC单晶，以及其中所述光的波长小于450nm。
14.根据权利要求12所述的光学传输系统，其中所述SiC单晶为钒补偿的6H多型Nu型SiC单晶，以及具有大于或等于1·1010Ωcm的电阻率。
15.根据权利要求12所述的光学传输系统，其中所述SiC单晶为钒补偿的4H多型Nu型SiC单晶，以及具有大于或等于1.1012Ωcm的电阻率。
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