[发明专利]一种单元随机分布的全介质多带太赫兹超材料吸收器

权利要求书

1.一种单元随机分布的全介质多带太赫兹超材料吸收器，包括衬底层（2）和结构层（1），其特征在于，所述衬底层（2）和结构层（1）为一体的高掺杂硅材料，所述结构层（1）上均匀划分有若干网格（3），所述网格（3）内均设置有若干刻蚀单元（4），所述衬底层（2）厚度大于110μm，所述衬底层（2）厚度小于300μm，所述结构层（1）厚度与衬底层（2）厚度之比大于1/6小于1/2，所述刻蚀单元（4）的刻蚀面积与网格（3）面积之比大于1/20，所述刻蚀单元（4）的刻蚀面积与网格（3）面积之比小于1/2，所述刻蚀单元（4）在网格（3）内随机分布，所述刻蚀单元（4）在网格（3）内不具备周期性，所述网格（3）不少于10个，所述网格（3）内的刻蚀单元（4）均相同，任一所述网格（3）内刻蚀单元（4）的几何特征均相同，任一所述网格（3）内刻蚀单元（4）至少存在一部分刻蚀图样被划分到相邻的网格（3）中，任一所述网格（3）内不重叠、不紧贴地设置有若干刻蚀单元（4）。

2.如权利要求1所述的一种单元随机分布的全介质多带太赫兹超材料吸收器，其特征在于，所述刻蚀单元（4）为正方形刻蚀孔（5）、长方形刻蚀孔（6）、圆形刻蚀孔（7）、正三角形刻蚀孔（8）、不规则三角形刻蚀孔（9）、椭圆形刻蚀孔（10）的一种或多种。