[发明专利]一种基于磁性隧道结的微波探测元件在审
| 申请号： | 202110234090.0 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113036033A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘青芳;王佳宁;王建波 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G01V3/12 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 赵莎莎 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁性 隧道 微波 探测 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于磁性隧道结的微波探测元件，其特征在于：所述微波探测元件的结构由两个圆形的磁性隧道结以及连接两个圆形磁性隧道结的桥区域组成，所述磁性隧道结由磁性自由层、非磁性绝缘层和磁性钉扎层组成，所述非磁性绝缘层夹在磁性自由层和磁性钉扎层之间；两个所述圆形的磁性隧道结的中间圆形区域和桥区域的顶部都设置有接触电极。
2.根据权利要求1所述的一种基于磁性隧道结的微波探测元件，其特征在于：两个所述圆形的磁性隧道结的磁性自由层的中心分别放置有极性分别为1和-1的两个Neel类型的磁斯格明子，在桥的磁性自由层中会产生一个Neel类型畴壁。
3.根据权利要求1所述的一种基于磁性隧道结的微波探测元件，其特征在于：所述磁性钉扎层的磁矩沿z轴正方向。
4.根据权利要求1所述的一种基于磁性隧道结的微波探测元件，其特征在于：所述圆形磁性隧道结的直径是100～1000nm，所述磁性自由层的厚度设置为0.5～3nm，所述非磁性绝缘层的厚度设置为1～3nm，所述磁性钉扎层的厚度设置为0.8～20nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于磁性隧道结的微波探测元件，其特征在于：两个所述圆形磁性隧道结的直径为100nm时，所述桥区域的长为15～35nm，宽为5～20nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州大学，未经兰州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110234090.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有多重密封结构便于拆装的阀门
- 下一篇：一种竹炭纤维墙纸修剪设备
