[发明专利]一种高电子迁移率的双极膜电渗析系统

权利要求书

1.一种高电子迁移率的双极膜电渗析系统，包括供电电源、电渗析箱和设置于电渗析箱内的膜堆单元，其特征在于：所述的电渗析箱为方形箱体，所述的膜堆单元包括两个双极膜和设置于两个双极膜之间的阳膜和阴膜，两个双极膜两侧的电渗析箱内壁上设有阳极和阴极，所述的阳极和阴极与供电电源电连接，所述的阴膜与其相邻的双极膜之间形成酸室，所述的阳膜与其相邻的双极膜之间形成碱室，所述的阳膜与阴膜之间形成盐室，两个双极膜与其对应的阳极和阴极之间形成水室。

2.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率的双极膜电渗析系统，其特征在于：所述的水室上设有出水管和进水管，所述的出水管和进水管与设置于电渗析箱外部的水池连接，所述的进水管上安装有化工泵。

3.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率的双极膜电渗析系统，其特征在于：所述的酸室和碱室上分别设有进液管和出液管，所述的进液管上设有化工泵，且酸室的进液管与设置于电渗析箱外部的酸池连接，碱室的进液管与设置于电渗析箱外部的碱池连接。

4.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率的双极膜电渗析系统，其特征在于：所述的电渗析池的外部还设有储液池和调节池，所述的储液池和调节池相连接，且储液池和调节池之间安装有化工泵，所述的储液池通过管道与盐室连接，所述的调节池通过安装有化工泵的管道与盐室连接，所述的调节池内的溶液通过调节池与盐室之间的化工泵送入盐室内。

5.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率的双极膜电渗析系统，其特征在于：所述的盐室内还设有导流装置，所述的导流装置包括自下而上设置的若干个导流板，所述的导流板的右部为平板结构，左端向下弯曲的弧形结构，且自下而上设置的导流板的长度不断增加，右端相对其，其中位于最下端的导流板位于盐室的右部，导流板的左右两端不与阴膜和阳膜接触。

6.根据权利要求5所述的一种高电子迁移率的双极膜电渗析系统，其特征在于：所述的导流板的右部上还设有若干个通孔。