[发明专利]一种用于LED芯片表面的粗化方法及具粗化表面的LED芯片有效
| 申请号： | 202110234520.9 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113036011B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 杨克伟;曲晓东;赵斌;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 led 芯片 表面 方法 具粗化 | ||
1.一种用于LED芯片表面的粗化方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S01、提供一生长衬底；
步骤S02、在所述生长衬底表面形成外延结构；
步骤S03、在所述外延结构表面沉积反射层；
步骤S04、在所述反射层表面蒸镀腐蚀截止层；
步骤S05、通过键合、剥离工艺将步骤S04所形成的结构转移至导电基板，且裸露所述外延结构的表面；
步骤S06、在所述外延结构的裸露面形成光刻胶，所述光刻胶包括在所述外延结构表面依次粘附的第一层胶和第二层胶，所述第一层胶用于预制掩膜粗化形貌；其中，所述外延结构的厚度为H1，第二层胶的厚度为H2，预粗化深度为H3，则，H1-H3≤H2≤H1；
步骤S07、通过ICP刻蚀工艺，使蚀刻气体对所述外延结构及光刻胶的蚀刻速率保持一致，去除所述光刻胶并对所述外延结构的表面蚀刻形成粗化表面。
2.根据权利要求1所述的用于LED芯片表面的粗化方法，其特征在于，所述第一层胶的烘烤温度大于所述第二层胶的烘烤温度。
3.根据权利要求2所述的用于LED芯片表面的粗化方法，其特征在于，所述第一层胶的烘烤温度包括140℃～150℃，所述第二层胶的烘烤温度包括120℃～140℃。
4.根据权利要求1所述的用于LED芯片表面的粗化方法，其特征在于，所述蚀刻气体包括Cl2和BCl3的混合气体。
5.根据权利要求4所述的用于LED芯片表面的粗化方法，其特征在于，所述Cl2和BCl3的比例包括10:1至20:1的区间。
6.根据权利要求1所述的用于LED芯片表面的粗化方法，其特征在于，所述外延结构包括沿生长方向依次堆叠的N型半导体层、有源层及P型半导体层。
7.根据权利要求1所述的用于LED芯片表面的粗化方法，其特征在于，所述导电基板包括导电衬底。
8.根据权利要求1所述的用于LED芯片表面的粗化方法，其特征在于，所述步骤S05包括：
S05-1、在所述腐蚀截止层的表面形成第一金属层；
S05-2、提供一导电基板；
S05-3、在所述导电基板的正面形成第二金属层；
S05-4、将所述导电基板上的第二金属层与所述第一金属层键合；
S05-5、去除所述生长衬底，使所述外延结构的表面裸露。
9.根据权利要求1所述的用于LED芯片表面的粗化方法，其特征在于，所述腐蚀截止层包括Pt。
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