[发明专利]图像传感器及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的第一光电二极管和第二光电二极管，所述第一光电二极管包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的第一半导体结构，所述第二光电二极管包括第三电极、第四电极和位于第三电极与第四电极之间的第二半导体结构，所述第一电极与所述第三电极连接，所述第二电极与所述第四电极连接；

开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管的源极或漏极与所述第二电极或所述第一电极连接；

电容，所述电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第一电极连接，所述第二极板与所述第二电极连接。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二电极与所述第四电极为一体结构，和/或，所述第一电极与所述第三电极为一体结构。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一半导体结构包括:第一N型低温多晶硅层、第一P型非晶硅层、位于所述第一N型低温多晶硅层和所述第一P型非晶硅层之间的第一本征非晶硅层；

所述第二半导体结构包括:第二N型低温多晶硅层、第二P型低温多晶硅层、位于所述第二N型低温多晶硅层和所述第二P型低温多晶硅层之间的第二本征低温多晶硅层。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第一N型低温多晶硅层复用为所述第二N型低温多晶硅层。

5.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第二N型低温多晶硅层、所述第二P型低温多晶硅层、所述第二本征低温多晶硅层位于同一层；

所述第一N型低温多晶硅层、所述第一本征非晶硅层、所述第一P型非晶硅层沿远离所述衬底的方向依次层叠。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述第二电极位于所述第一P型非晶硅层远离所述衬底的一侧，所述第二电极在所述衬底上的正投影与所述第一P型非晶硅层在所述衬底上的正投影至少部分重叠，所述第二电极为透明电极。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述第二电极在所述衬底上的正投影与所述第一P型非晶硅层在所述衬底上的正投影重合。

8.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第二本征低温多晶硅层在所述衬底上的正投影与所述第一本征非晶硅层在所述衬底上的正投影部分重合或不重合。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一光电二极管与所述第二光电二极管的吸收波段不同。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的图像传感器。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括驱动薄膜晶体管和与所述驱动薄膜晶体管连接的发光单元，

所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述开关薄膜晶体管的栅极同层同材料设置；和/或

所述驱动薄膜晶体管的源极与所述开关薄膜晶体管的源极同层同材料设置；和/或

所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述开关薄膜晶体管的漏极同层同材料设置；和/或

所述驱动薄膜晶体管的有源层与所述开关薄膜晶体管的有源层同层同材料设置。

12.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述发光单元包括阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的发光层，所述阳极与所述电容的第二极板同层同材料设置；和/或

所述电容的第一极板与所述驱动薄膜晶体管的源极同层同材料设置。