[发明专利]一种基于MoS2

权利要求书

1.一种基于MoS₂和Si复合结构的太赫兹调制器的调控方法，其特征在于，

所述太赫兹调制器包括半导体Si衬底和Si衬底表面生长的MoS₂层；

所述Si衬底的材料为单面抛光p型掺杂硅；

所述MoS₂层采用磁控溅射法在Si衬底的抛光面生长，形状为垂直形态；

所述Si衬底的电阻率为300kΩ-320kΩ，所述MoS₂层的厚度为40nm-50nm；

所述调控方法包括以下步骤：

S1：采用太赫兹时域光谱系统即THz-TDS并配有波长为808nm的连续泵浦激光作为调制光源；

S2：利用前后两片铁片将太赫兹调制器固定于中间；

S3：改变连续泵浦激光照射太赫兹调制器的位置和强度，实现对太赫兹波透射幅度的调制：

当连续泵浦激光只照射在铁片时，即只对太赫兹调制器提供加热作用，此时太赫兹波的透射幅度随外加连续泵浦激光功率增加而增加；

当连续泵浦激光照射在太赫兹调制器时，即对太赫兹调制器同时提供加热作用和光照作用，太赫兹波的透射幅度随外加泵浦激光功率增加而减小；在0.3—1.6THz范围内，太赫兹调制器随外加连续泵浦激光功率改变都具有调制作用，表明太赫兹调制器具有宽带调制特性。