[发明专利]一种封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置在审
申请号: | 202110236904.4 | 申请日: | 2021-03-03 |
公开(公告)号: | CN112786498A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 陈能强 | 申请(专利权)人: | 无锡昌鼎电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 | 代理人: | 刘咏华 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 工艺 芯片 喷射 上锡膏站 装置 | ||
1.一种封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置,包括十字平台、框架定位平台(8)、检测相机(9)、气管,还包括喷气电磁阀(1)、管装胶筒(6)、分流块(4)、喷胶头(5),所述十字平台上部安装有框架定位平台(8),十字平台控制框架定位平台(8)在前、后及左、右位置移动;其特征在于:框架定位平台(8)固定放置固定块(7);框架定位平台(8)上方设有喷气电磁阀(1)和管装胶筒(6),管装胶筒(6)上方安装有气管(10),管装胶筒(6)和气管连接有过渡段,管装胶筒(6)下方连接安装有分流块(4),喷气电磁阀(1)下方安装有分流块(4),喷气电磁阀(1)控制喷胶气源;分流块下侧安装有喷胶头(5);喷气电磁阀(1)一侧设有检测相机(9),喷气电磁阀(1)连接有电磁阀开关。
2.根据权利要求1所述封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置,其特征在于,所述框架定位平台(8)为矩形框,框架定位平台(8)沿矩形框长度方向的两侧设置支撑块组成。
3.根据权利要求1所述封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置,其特征在于,所述气管(10)直径小于管装胶筒直径。
4.根据权利要求1所述封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置,其特征在于,喷气电磁阀(1)上部安装有气管接头(2)、平头铜消音器(3)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造