[发明专利]一种晶圆芯片切割方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是一种晶圆芯片切割方法，刀具切割完第一切割方向上所有第一切割道后对第二切割方向上的所有第二切割道进行切割，所述第一切割方向与第二切割方向相互垂直，且所述第一切割方向与晶圆芯片的中轴线平行或垂直，至少在所述第二切割方向上，所述刀具每次的出刀位置均在所述晶圆芯片的有效区内。本发明晶圆芯片切割方法至少在所述第二切割方向上，所述刀具的出刀位置均在晶圆芯片有效区内，与所述晶圆芯片边缘无效区存在一定距离，可降低现有出刀位置处，刀具切割边缘无效区形成的晶粒受到水流冲击极容易飞离蓝膜打坏刀具的情况。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是一种晶圆芯片切割方法。

背景技术

如图1-2所示，晶圆芯片1为圆形，为了定位，通常在晶圆芯片1上切割一个平边（plat）或V型缺口（notch），不管是哪种形式的晶圆芯片1，有且仅有一条中轴线，如图1-2虚线所示。如图3所示，晶圆芯片1对应在背面设有的一层金属层的区域称为有效区11，晶圆芯片1边缘的裸硅区域称为边缘无效区12。晶圆芯片1背面粘贴有一层蓝膜2，蓝膜2的尺寸大于晶圆芯片1尺寸。因有效区11的厚度突出于边缘无效区12的厚度，有效区11与蓝膜2粘接牢靠，但边缘无效区12与蓝膜2往往粘连不够紧密或未粘连。

如图4-5所示，图4中每一个带箭头的线段表示一条切割道，为了便于清楚表示，图4中相邻切割道之间的距离仅用于示意。切割道包括若干横向切割道4和若干纵向切割道5，若干横向切割道4均与中轴线垂直，若干纵向切割道5均与中轴线平行，相邻横向切割道4之间间距相等，相邻纵向切割道5之间间距相等。刀具3按箭头所指方向对任一横向切割道4或纵向切割道5进行一次切割，进刀位置和出刀位置均在边缘无效区12处。现有技术的切割方法通常为先用刀具3对所有纵向切割道5逐一进行切割（也可先对所有横向切割道4逐一进行切割），将晶圆芯片1切割为若干长条，切割过程中设于刀具3的喷水装置用于冲洗切割晶圆芯片1产生的硅屑，再沿横向切割，将若干长条晶圆芯片1切割成若干小块晶粒。因边缘无效区12与蓝膜2之间粘连不够紧密或未粘接，实际切割过程中，在刀具3进刀位置和出刀位置处，刀具切割边缘无效区形成的小块晶粒会受到水流冲刷的影响，进刀位置处水流冲刷小块晶粒上表面，晶粒不易飞离蓝膜，但出刀位置处水流对晶粒侧面进行冲刷，晶粒容易飞离蓝膜2并与高速旋转的刀具3产生碰撞、打伤刀具，被打伤后的刀具继续加工，会使切割形成的芯片产生缺口或裂缝。

发明内容

本发明目的在于针对现有晶圆芯片切割过程中，特别是在刀具出刀位置处，刀具切割边缘无效区形成的小块晶粒受到水流冲刷容易飞离蓝膜并与高速旋转的刀具产生碰撞、打伤刀具，被打伤后的刀具继续加工，会使切割形成的芯片产生缺口或裂缝的问题，提供一种晶圆芯片切割方法。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种晶圆芯片切割方法，刀具切割完第一切割方向上所有第一切割道后对第二切割方向上的所有第二切割道进行切割，所述第一切割方向与第二切割方向相互垂直，且所述第一切割方向与晶圆芯片的中轴线平行或垂直，至少在所述第二切割方向上，所述刀具每次的出刀位置均在所述晶圆芯片的有效区内。

所述刀具出刀位置位于边缘无效区时，因所述边缘无效区与蓝膜往往粘连不够紧密或未粘连，受水流的冲击影响大，本发明晶圆芯片切割方法将所述刀具出刀位置设于有效区内，由于所述晶圆芯片的有效区与蓝膜粘连牢固，被切割的所述晶圆芯片不易受水流冲击影响。所述刀具如采用现有技术方法切割完所有第一切割道后，将所述晶圆芯片切割成若干长条，即使出刀位置位于所述边缘无效区，被切割的所述晶圆芯片也不易被冲走，但所述刀具逐一切割第二切割道时，所述晶圆芯片被切割成若干小块晶粒，故至少在所述第二切割方向上，所述刀具每次的出刀位置均在晶圆芯片的有效区内，避免所述小块晶粒容易在水流冲击下飞离蓝膜并与高速旋转的刀具产生碰撞、打伤刀具。为了进一步将水流对所述晶圆芯片的影响降到最低，也可对所有所述第一切割道采取本发明的切割方法进行切割。