[发明专利]镀制超导带材的装置和方法以及超导带材

权利要求书

1.一种镀制超导带材的装置，其特征在于，所述镀制超导带材的装置包括：图形板(4)、超导源(6)，所述超导源(6)设置于所述图形板(4)的一侧，基带(1)设置于所述图形板(4)的另一侧；所述超导源(6)射出的超导材料经过所述图形板(4)在所述基带(1)上镀制对应的超导层(2)；或者，

所述镀制超导带材的装置包括：图形板(4)、超导源(6)和同质非导电源(7)，所述超导源(6)和所述同质非导电源(7)设置于所述图形板(4)的一侧，基带(1)设置于所述图形板(4)的另一侧；所述超导源(6)射出的超导材料和所述同质非导电源(7)射出的同质非导电材料，经过所述图形板(4)在所述基带(1)上镀制对应的超导层(2)和同质非导电层(3)；

所述超导源(6)指利用相应的镀制方法时射出超导材料的地方；

所述同质非导电源(7)指利用相应的镀制方法时射出同质非导电材料的地方；

还包括走带机构，所述基带(1)设置于所述走带机构上，通过所述走带机构驱动所述基带(1)移动；

还包括移动图形板机构，所述图形板(4)设置于所述移动图形板机构上，通过所述移动图形板机构驱动所述图形板(4)移动；

镀制所述超导层(2)的方法包括以下任一种：

MOCVD有机源气相沉积法；

MOD化学溶剂法；

PLD脉冲激光镀膜沉积法；

RCE反应电子束共蒸发法；

Sputtering磁控溅射法。

2.根据权利要求1所述的镀制超导带材的装置，其特征在于，还包括加热机构(5)，对所述基带(1)进行加热。

3.根据权利要求1所述的镀制超导带材的装置，其特征在于，镀制的功率、频率与镀制的超导层(2)和/或同质非导电层(3)的厚度成正比；

镀制超导层(2)的功率大于镀制同质非导电层(3)的功率；

每层超导层的厚度在0.1-1μm，同质非导电层的厚度在0.01um-0.3μm。

4.根据权利要求1所述的镀制超导带材的装置，其特征在于，所述同质非导电层(3)包括：STO、CeO₂或者LaMnO₃。

5.根据权利要求1所述的镀制超导带材的装置，其特征在于，所述走带机构包括：收料盘(11)、放料盘(12)和走带导轮(9)；

所述基带(1)从所述放料盘(12)经过所述走带导轮(9)在所述图形板(4)的另一侧拉直为一条或多条平行结构进行镀制，再通过所述收料盘(11)回收。

6.一种镀制超导带材的方法，其特征在于，采用权利要求1所述的镀制超导带材的装置，执行包括：

通过镀制工艺使所述超导源(6)射出物质，射出的物质经过所述图形板(4)在所述基带(1)上镀制对应的超导层(2)；或者，通过镀制工艺使所述超导源(6)射出超导材料和所述同质非导电源(7)射出同质非导电材料，经过所述图形板(4)在所述基带(1)上镀制对应的超导层(2)和同质非导电层(3)；

在镀制过程中，图形板(4)与基带(1)同速运动；或者，

图形板(4)不动，基带(1)间歇式移动，在基带(1)静止状态下进行镀制。

7.一种超导带材，其特征在于，采用权利要求6所述的镀制超导带材的方法制备得到。