[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110238873.6 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN112968036B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 冯雅圣;林宏展;王裕平;陈禹钧;邱久容 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
第一金属间介电层，设于基底上，该第一金属间介电层上表面包含曲面；
磁性隧穿结(magnetic tunneling junction, MTJ)，设于该第一金属间介电层上；
金属内连线，设于该磁性隧穿结下方并位于该第一金属间介电层内，其中该金属内连线包含第一倾斜侧壁以及第二倾斜侧壁；
间隙壁，设于该磁性隧穿结周围以及该第一倾斜侧壁与该第二倾斜侧壁上；以及
第二金属间介电层设于该第一金属间介电层上并环绕该间隙壁，
其中该间隙壁直接接触该第一倾斜侧壁以及该第二倾斜侧壁。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内连线包含第三倾斜侧壁连接该第一倾斜侧壁以及第四倾斜侧壁连接该第二倾斜侧壁。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一倾斜侧壁以及该第三倾斜侧壁包含V形。
4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第二倾斜侧壁以及该第四倾斜侧壁包含V形。
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