[发明专利]一种自对准像素定义层结构及其加工方法

说明书

本发明公开了一种自对准像素定义层结构及其加工方法，具有：衬底；阳极，衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；像素定义层，填充相邻阳极之间的间隙；像素定义层的侧壁与阳极的侧壁平齐；像素定义层通过干刻成型，不占用阳极区域，不影响开口面积，有利于提高发光亮度；节省一道光刻工艺，工艺更简单，成本更低。

技术领域

本发明属于微显示屏技术领域，尤其涉及一种自对准像素定义层结构及其加工方法。

背景技术

在显示中，像素定义层(PDL)被用来定义像素区域，隔离像素，防止光学串扰和电学串扰。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：一般使用光刻加刻蚀的工艺，为了避免光刻对位偏差导致的偏位，PDL和阳极有一定的重叠(overlap)，重叠区域大小大于对位精度至少0.2-0.3um左右。对于微显示，因为阳极像素面积很小，overlap占用一部分发光区域，会导致开口面积损失约30％，导致发光效率降低，亮度降低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种不占用阳极区域，不影响开口面积，有利于提高发光亮度；节省一道光刻工艺，工艺更简单，成本更低的自对准像素定义层结构及其加工方法。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种自对准像素定义层结构，具有：

衬底；

阳极，所述衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；

像素定义层，填充相邻阳极之间的间隙；所述像素定义层的侧壁与阳极的侧壁平齐；所述像素定义层通过干刻成型。

所述像素定义层材质包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

一种上述的自对准像素定义层结构的加工方法，包括如下步骤：

1)在衬底上制备阳极；

2)在衬底和阳极上沉积像素定义层；

3)干刻像素定义层，干刻过程中，阳极侧壁的像素定义层会保留下来；

4)干刻减薄阳极，形成沉积像素定义层凹槽，最终形成像素定义层定义的阳极结构。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果，不占用阳极区域，不影响开口面积，有利于提高发光亮度；节省一道光刻工艺，工艺更简单，成本更低。

附图说明

图1为本发明实施例中提供的自对准像素定义层结构的结构示意图；

图2为图1的自对准像素定义层结构的加工工艺流程图；

上述图中的标记均为：1、衬底，2、阳极，3、像素定义层。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

参见图1-2，一种自对准像素定义层结构，具有：

衬底；

阳极，衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；

像素定义层，填充相邻阳极之间的间隙；像素定义层的侧壁与阳极的侧壁平齐；像素定义层通过干刻成型。

像素定义层材质包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。