[发明专利]薄膜太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202110239448.9 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113130679A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王志永;赵剑;吴华;张传升;郭凯 | 申请（专利权）人： | 重庆神华薄膜太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 404100 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，包括依次叠层设置的衬底、背接触层、P型二硒化钼膜层、P型吸收层、N型缓冲层和窗口层。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述P型二硒化钼膜层的空穴浓度大于所述P型吸收层的空穴浓度。
3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述P型二硒化钼膜层的空穴浓度比所述P型吸收层的空穴浓度大1至5个数量级。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述P型二硒化钼膜层的厚度小于所述P型吸收层的厚度。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述P型吸收层包括铜铟硒膜层、铜铟镓硒膜层和铜铟镓硒硫膜层中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述衬底为刚性衬底或柔性衬底。
7.一种薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上方形成背接触层；
在所述背接触层上方形成P型二硒化钼膜层；
在所述P型二硒化钼膜层上方形成P型吸收层；
在所述P型吸收层上方形成N型缓冲层；
在所述N型缓冲层上方形成窗口层。
8.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述P型二硒化钼膜层的空穴浓度大于所述P型吸收层的空穴浓度。
9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述P型二硒化钼膜层的空穴浓度比所述P型吸收层的空穴浓度大1至5个数量级。
10.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述P型二硒化钼膜层的厚度小于所述P型吸收层的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
