[发明专利]基于钴/吡咯/介孔碳的固体膜磷酸根离子选择性电极的制备方法与应用

权利要求书

1.基于钴/吡咯/介孔碳的固体膜磷酸根离子选择性电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、将钴源、吡咯单体溶解于去离子水中，溶液中钴的浓度为0.1～0.3mol/L，吡咯的浓度为0.1～0.4mol/L；

步骤2、在步骤1的溶液中加入电解质、介孔碳，混合均匀制得沉积液，沉积液中电解质的浓度为0.1～0.4mol/L，介孔碳的浓度为0.3～0.8g/L；

步骤3、将玻碳电极在氧化铝粉末上抛光并清洗，烘干备用；

步骤4、使用三电极系统，采用恒电流法在玻碳电极表面沉积钴/吡咯/介孔碳，制得磷酸根固体膜离子选择性电极；

步骤5、将制得的电极浸于磷酸根溶液中活化至电位稳定，随后用于磷酸根的检测；

所述电解质选自氯化钾、硫酸钠的至少一种；

所述步骤1中需要在避光条件下溶解吡咯单体；

所述钴源选自六水合氯化钴；

所述步骤4中，沉积电流为0.0005A；

所述步骤4中，沉积时间为100～600s；

所述步骤3的具体操作为，将玻碳电极依次用0.2～0.4mm、0.03～0.08mm粒径的氧化铝粉末进行抛光，清洗后于40-55℃下烘干；

所述步骤5中，电极活化时间为30～40min；磷酸根溶液的浓度为10^-4mol/L，pH为4.0。

2.一种固体膜磷酸根离子选择性电极，其特征在于，由权利要求1所述的基于钴/吡咯/介孔碳的固体膜磷酸根离子选择性电极的制备方法制得。

3.由权利要求1所述的基于钴/吡咯/介孔碳的固体膜磷酸根离子选择性电极的制备方法制得的固体膜磷酸根离子选择性电极，或者如权利要求2所述的固体膜磷酸根离子选择性电极，在水质检测领域中的应用。