[发明专利]半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110240424.5 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113471129A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 小笠原孝文;田村和幸 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工用 保护 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体加工用保护片，其是具有基材、且在所述基材的一个主面上依次具有中间层和粘着剂层的半导体加工用保护片，
所述中间层及所述粘着剂层为能量射线固化性，
50℃时的能量射线固化前的半导体加工用保护片的杨氏模量为600MPa以上。
2.根据权利要求1所述的半导体加工用保护片，其中，在所述基材的另一个主面上具有缓冲层。
3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，其中，所述基材的杨氏模量为1000MPa以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体加工用保护片，其中，所述中间层的厚度为60μm以上250μm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体加工用保护片，其中，在对在半导体晶圆表面形成有沟槽的半导体晶圆的背面进行研磨并通过该研磨将半导体晶圆单颗化为半导体芯片的工序中，将所述半导体加工用保护片贴附在半导体晶圆的表面而进行使用。
6.一种半导体装置的制造方法，其具有：
将权利要求1～5中任一项所述的半导体加工用保护片贴附在具有凹凸的半导体晶圆的表面的工序；
自所述半导体晶圆的表面侧形成沟槽的工序、或者自所述半导体晶圆的表面或背面在半导体晶圆内部形成改质区域的工序；
对表面贴附有所述半导体加工用保护片且形成有所述沟槽或所述改质区域的半导体晶圆，自背面侧进行研磨，以所述沟槽或所述改质区域为起点单颗化为多个芯片的工序；及
从单颗化的半导体芯片上剥离所述半导体加工用保护片的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
