[发明专利]TSV无源转接板及其制造方法

权利要求书

1.一种TSV无源转接板，其特征在于，包括：

硅衬底，所述硅衬底间隔设有若干通孔；

隔离介质，设于所述通孔的内侧面，所述隔离介质的两端突出于所述硅衬底；

扩散阻挡层，位于所述通孔内，设于所述隔离介质；

第一籽晶层，设于所述扩散阻挡层；

导电层，设于所述第一籽晶层，将所述通孔填充；

第一粘附层、上端籽晶层和第一金属凸部；

所述第一粘附层覆盖所述隔离介质、所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层的上端，所述上端籽晶层覆盖所述第一粘附层，所述第一金属凸部覆盖所述上端籽晶层；

所述第一粘附层、所述上端籽晶层和所述第一金属凸部依次层叠形成若干间隔分布的上凸台。

2.根据权利要求1所述的TSV无源转接板，其特征在于：

还包括第二粘附层、下端籽晶层和第二金属凸部；

所述第二粘附层覆盖所述隔离介质、所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层的下端，所述下端籽晶层覆盖所述第二粘附层，所述第二金属凸部覆盖所述下端籽晶层；

所述第二粘附层、所述下端籽晶层和所述第二金属凸部依次层叠形成若干间隔分布的下凸台。

3.根据权利要求1所述的TSV无源转接板，其特征在于：

所述隔离介质的两端为第一延伸端和第二延伸端，所述第一延伸端和所述第二延伸端垂直于所述硅衬底。

4.根据权利要求3所述的TSV无源转接板，其特征在于：

所述硅衬底的厚度小于所述隔离介质的高度。

5.一种如权利要求1-4任一项所述的TSV无源转接板的制造方法，其特征在于：

S01：提供所述硅衬底；

S02：在所述硅衬底上间隔设置若干所述通孔；

S03：在所述通孔内依次层叠设置所述隔离介质、所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层，将所述通孔填充；

S04：去除所述隔离介质之间的部分所述硅衬底，使所述隔离介质两端突出于所述硅衬底。

6.根据权利要求5所述的TSV无源转接板的制造方法，其特征在于：

所述步骤S02中，先在所述硅衬底上开设若干间隔设置的安装孔；

所述步骤S03中，所述隔离介质、所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层依次层叠填充所述安装孔且覆盖所述硅衬底的上表面。

7.根据权利要求6所述的TSV无源转接板的制造方法，其特征在于：

所述步骤S03中，去除所述隔离介质水平面以上的所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层；

然后设置所述第一粘附层，且所述第一粘附层覆盖显露的所述隔离介质、所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层的上端；

最后依次设置所述上端籽晶层和所述第一金属凸部。

8.根据权利要求7所述的TSV无源转接板的制造方法，其特征在于：

所述步骤S04中，去除部分所述上端籽晶层、所述第一粘附层和所述隔离介质，形成间隔分布的所述上凸台。

9.根据权利要求8所述的TSV无源转接板的制造方法，其特征在于：

接着去除所述硅衬底的下端，以及下端的部分所述隔离介质、所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层；

然后设置第二粘附层，所述第二粘附层覆盖所述硅衬底的下端面以及所述隔离介质、所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层的下端，接着在所述第二粘附层上依次设置下端籽晶层和第二金属凸部；

最后去除部分所述第二粘附层、所述下端籽晶层和所述硅衬底，形成间隔分布的下凸台。