[发明专利]硅通孔结构、封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种硅通孔结构，其特征在于，包括：

硅衬底，所述硅衬底间隔设有若干通孔；

隔离介质，设于所述硅衬底的上表面、所述硅衬底的下表面和若干所述通孔的内侧面；

扩散阻挡层，位于若干所述通孔内，所述扩散阻挡层设于所述隔离介质；

第一籽晶层，设于所述扩散阻挡层；

导电层，设于所述第一籽晶层；

所述隔离介质、所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层依次层叠将若干所述通孔填充，相邻的若干所述通孔之间开设有上下贯通的中空部；

所述隔离介质包括第一隔离介质和第二隔离介质，所述第一隔离介质设于所述硅衬底的上表面和若干所述通孔的侧面，所述第二隔离介质设于所述硅衬底的下表面，所述中空部的侧壁为所述第一隔离介质。

2.根据权利要求1所述的硅通孔结构，其特征在于：

还包括第一粘附层、第二籽晶层和第一金属凸部；

所述第一粘附层设于若干所述通孔的一端，且覆盖所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层；

所述第二籽晶层设于若干所述第一粘附层；

所述第一金属凸部设于所述第二籽晶层，所述第一粘附层、所述第二籽晶层和所述第一金属凸部依次层叠形成若干上凸台。

3.根据权利要求2所述的硅通孔结构，其特征在于：

还包括第二粘附层、第三籽晶层和第二金属凸部；

所述第二粘附层与所述第一粘附层分别位于所述硅衬底的两侧边，且所述第二粘附层覆盖若干所述通孔另一端显露的所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层；

所述第三籽晶层设于若干所述第二粘附层；

所述第二金属凸部设于所述第三籽晶层，所述第二粘附层、所述第三籽晶层和所述第二金属凸部依次层叠形成若干下凸台。

4.根据权利要求3所述的硅通孔结构，其特征在于：

所述第二粘附层设有第一凹部，所述第三籽晶层一侧面设有与所述第一凹部适配的第一凸部，所述第三籽晶层另一侧面设有第二凹部，所述第二金属凸部设有与所述第二凹部适配的第二凸部。

5.一种包括权利要求3或4所述的硅通孔结构的封装结构，其特征在于：还包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片设于若干所述上凸台，并与若干所述上凸台均电连接，所述第二芯片设于若干所述下凸台，并与若干所述下凸台均电连接。

6.一种如权利要求5所述的封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

S01：提供硅衬底；

S02：在所述硅衬底上间隔设置若干通孔，将隔离介质设于所述硅衬底的上表面、所述硅衬底的下表面和若干所述通孔的内侧面，将扩散阻挡层、第一籽晶层和导电层依次设于所述通孔内，并将所述通孔填充；

S03：在若干相邻的所述通孔之间开设有上下贯通的中空部，且所述中空部的侧边为所述隔离介质；

S04：设置第一芯片，使所述第一芯片与若干所述通孔内的所述导电层的一端电连接；

S05：设置第二芯片，使所述第二芯片与若干所述通孔内的所述导电层的另一端电连接。

7.根据权利要求6所述的封装结构的制造方法，其特征在于：

所述步骤S02中，预先在所述硅衬底上开设若干安装孔；

所述隔离介质包括第一隔离介质和第二隔离介质，将所述第一隔离介质、所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层依次设于所述安装孔内和所述硅衬底的上表面直至将所述安装孔填充；

接着去除所述第一隔离介质水平面上的所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层，形成若干所述通孔的一端；

然后去除所述硅衬底的底面和所述安装孔底端内的所述第一隔离介质、所述扩散阻挡层和所述第一籽晶层，直至显露出所述导电层，形成所述通孔的另一端；

最后所述第二隔离介质设于所述硅衬底的下表面。