[发明专利]集成电感的嵌埋支撑框架、基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202110241375.7 申请日: 2021-03-04
公开(公告)号: CN113053849B 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 陈先明;王闻师;冯磊;黄本霞 申请(专利权)人: 珠海越亚半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/64;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 李翔;鲍胜如
地址: 519175 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 集成 电感 支撑 框架 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种集成电感的嵌埋支撑框架的制作方法,包括以下步骤:

(a)在临时承载板的表面上形成第一磁芯,第一导通铜柱和第一牺牲铜柱,其中在所述第一磁芯周围形成有所述第一导通铜柱;

(b)在所述第一磁芯、第一导通铜柱和第一牺牲铜柱的表面上层压第一核心介质层,减薄所述第一核心介质层以暴露出所述第一导通铜柱和所述第一牺牲铜柱的第一端面;

(c)移除所述临时承载板,暴露出所述第一磁芯、所述第一导通铜柱和所述第一牺牲铜柱的第二端面;

(d)在所述第一磁芯、第一导通铜柱和第一牺牲铜柱对应的位置上形成第二磁芯、第二导通铜柱和第二牺牲铜柱,使得所述第一磁芯、第一导通铜柱和第一牺牲铜柱的第二端面与所述第二磁芯、第二导通铜柱和第二牺牲铜柱的第二端面对准连接;

(e)在所述第二磁芯、第二导通铜柱和第二牺牲铜柱上层压第二核心介质层,减薄所述第二核心介质层以暴露出所述第二导通铜柱和所述第二牺牲铜柱的第一端面;

(f)在所述第一核心介质层和所述第二核心介质层的表面上形成电感线路层,所述电感线路层与分布于所述第一磁芯和所述第二磁芯周边的所述第一导通铜柱和所述第二导通铜柱导通连接形成螺旋电感线圈;

(g)蚀刻所述牺牲铜柱,形成贯通所述核心介质层的贯通开口。

2.根据权利要求1所述的制作方法,其中所述临时承载板包括两面压覆有双层铜箔的临时承载板。

3.根据权利要求1所述的制作方法,其中步骤(a)还包括:

在所述临时承载板的表面上施加第一磁性材料层,并对所述第一磁性材料层蚀刻形成所述第一磁芯;

在所述临时承载板上施加第一光刻胶层,图案化形成第一图案,电镀形成第一导通铜柱和第一牺牲铜柱,使得在所述第一磁芯周围形成有所述第一导通铜柱;

移除所述第一光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的制作方法,其中步骤(d)还包括:

在暴露出所述第一磁芯的第一核心介质层上施加第二磁性材料层,并对所述第二磁性材料层蚀刻,在与所述第一磁芯对应的位置上形成第二磁芯;

在暴露出所述第二磁芯的第一核心介质层上施加第二光刻胶层,图案化形成与所述第一导通铜柱和第一牺牲铜柱对准的第二图案,电镀形成第二导通铜柱和第二牺牲铜柱;

移除所述第二光刻胶层,使得所述第一磁芯、第一导通铜柱和第一牺牲铜柱的第二端面与所述第二磁芯、第二导通铜柱和第二牺牲铜柱的第二端面对准连接。

5.根据权利要求1所述的制作方法,其中步骤(f)还包括:

在所述第一核心介质层和第二核心介质层的表面上施加种子层;

在所述种子层上施加第三光刻胶层,图案化形成第三图案,电镀形成电感线路层,其中所述电感线路层与分布于所述第一磁芯和所述第二磁芯周边的所述第一导通铜柱和所述第二导通铜柱导通连接形成螺旋电感线圈;

移除所述第三光刻胶层和蚀刻移除所述种子层。

6.根据权利要求1所述的制作方法,其中制得的集成电感的嵌埋支撑框架,包括:

核心介质层;

贯穿所述核心介质层的贯通开口,所述贯通开口用于嵌埋安装器件;

电感,所述电感包括嵌埋在所述核心介质层内的磁芯以及围绕所述磁芯缠绕的电感线圈,

其中在所述贯通开口和所述电感的周边具有至少一个贯穿所述核心介质层的导通铜柱。

7.根据权利要求6所述的制作方法,其中所述核心介质层包括苯并环丁烯树脂、聚苯醚、聚酰亚胺、环氧树脂或聚乙烯。

8.根据权利要求6所述的制作方法,其中所述磁芯包括软磁材料,所述软磁材料选自铁粉芯、锰锌铁氧体和镍锌铁氧体中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的制作方法,其中所述电感线圈包括在所述磁芯上下表面上的电感线路层和在所述磁芯两侧导通连接所述电感线路层的导通铜柱。

10.根据权利要求6所述的制作方法,其中所述磁芯的形状选自实心矩形、中空矩形和环形。

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