[发明专利]晶圆漏电流测试方法、装置、晶圆级测试仪及存储介质

说明书

本申请涉及一种晶圆漏电流测试方法、装置、晶圆级测试仪及存储介质，所述方法应用于晶圆，所述晶圆包括多个待测量单元，所述方法包括：获取所述晶圆上每个所述待测量单元的漏电流；根据所有所述待测量单元的漏电流，获取漏电流中位数及漏电流第一统计特征值；根据所述漏电流中位数及所述漏电流第一统计特征值，获取漏电流偏移量；根据所述漏电流中位数及所述漏电流偏移量，获取漏电流测量阈值；根据所述漏电流测量阈值筛选所述待测量单元。本申请实施例提高晶圆中芯片筛选的准确性和覆盖率，提升芯片的可靠性，降低芯片使用过程中的不良率。

技术领域

本申请涉及晶圆测试领域，尤其涉及一种晶圆漏电流测试方法、装置、晶圆级测试仪及存储介质。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC芯片。在晶圆制造完成之后，切割封装之前，需要进行晶圆测试，晶圆测试是对晶片上的每个IC芯片进行测试，通过探针卡(probe card)与芯片上的外触点(pad)接触，测试其电气特性，看是否符合出厂标准。

在晶圆的实际制造过程中，由于制程因素的限制，在实际IC芯片内部会产生一定的缺陷，在实际IC芯片工作时形成寄生效应，增大IC芯片的漏电流，漏电流过大引起IC芯片静态功率损耗，影响IC芯片性能，甚至导致IC芯片失效。因此漏电流测试是晶圆测试中一项非常重要的测试项。

但是，现有漏电流测试方案中利用固定的电流条件筛选漏电流有异常的芯片，且不能准确筛选晶圆制造过程中工艺发生偏移时，漏电流异常的芯片。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种晶圆漏电流测试方法、装置、晶圆级测试仪及存储介质，提高芯片筛选的准确性和覆盖率，提升芯片的可靠性，降低使用过程中的不良率。

第一方面，本申请提供了一种晶圆漏电流测试方法，应用于晶圆，所述晶圆包括多个待测量单元，所述方法包括：

获取所述晶圆上每个所述待测量单元的漏电流；

根据所有所述待测量单元的漏电流，获取漏电流中位数及漏电流第一统计特征值；

根据所述漏电流中位数及所述漏电流第一统计特征值，获取漏电流偏移量；

根据所述漏电流中位数及所述漏电流偏移量，获取漏电流测量阈值；

根据所述漏电流测量阈值筛选所述待测量单元。

可选的，所述统计所有所述待测量单元的漏电流，获取漏电流中位数及漏电流第一统计特征值包括：

根据所有所述待测量单元的漏电流大小顺序，获取所述漏电流中位数；

根据所有所述待测量单元的漏电流，获取漏电流均值和漏电流标准方差；

根据所述漏电流均值和所述漏电流方差，获取所述漏电流第一统计特征值。

可选的，所述根据所述漏电流均值和所述漏电流方差，获取所述漏电流第一统计特征值包括：

计算所述漏电流均值和所述漏电流方差之和，作为所述漏电流第一统计特征值。

可选的，所述根据所述漏电流中位数及所述漏电流第一统计特征值，获取漏电流偏移量包括：

计算所述漏电流第一统计特征值与所述漏电流中位数之差，作为第一漏电流差值；

计算所述第一漏电流差值与预设倍数之积，作为所述漏电流偏移量。

可选的，所述根据所述漏电流中位数及所述漏电流偏移量，获取漏电流测量阈值包括：

计算所述漏电流中位数与所述漏电流偏离量之和，作为所述漏电流测量阈值。