[发明专利]低杂质钨合金选区激光熔合二维准直器及其制备方法

权利要求书

1.一种低杂质钨合金选区激光熔合二维准直器，其特征在于：其包含熔点高于2000℃的钨合金，其中，以质量计算，钨含量在80％以上，熔点低于2000℃的金属元素以及其他非金属元素含量低于0.1％。

2.如权利要求1所述的低杂质钨合金选区激光熔合二维准直器，其特征在于：所述钨合金中包括为钼、钽、铼、铌等熔点高于2000℃的金属中的一种或多种。

3.一种低杂质钨合金选区激光熔合二维准直器的制备方法，其特征在于：其步骤包括：

S1：制备并混合金属粉末，金属粉末包括熔点高于2000℃的钨及其它金属，其中，以质量计算，钨含量需在80％以上，熔点低于2000℃的金属或者非金属含量低于0.1％；

S2：通过选区激光熔合技术制备成钨合金二维准直器毛坯，二维准直器毛坯熔融于一个底板；

S3：从底板上切割掉二维准直器；

S4：通过表面处理对二维准直器进行抛光，使其壁上光洁度满足要求。表面处理是以物理化学工艺进行处理。

4.如权利要求3所述的低杂质钨合金选区激光熔合二维准直器的制备方法，其特征在于：S1中金属粉末为球形，粒径为0-80μm。

5.如权利要求3所述的低杂质钨合金选区激光熔合二维准直器的制备方法，其特征在于：所述金属粉末包含钼、钽、铼、铌等熔点高于2000℃的金属中的一种或多种。

6.如权利要求5所述的低杂质钨合金选区激光熔合二维准直器的制备方法，其特征在于：所述钼、钽、铼或铌以球壳形式包覆在球状钨粉末之上。