[发明专利]一种TMR芯片的制备方法在审
| 申请号： | 202110242889.4 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113061855A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 刘明;关蒙萌;胡忠强;朱红艳;朱家训 | 申请（专利权）人： | 珠海多创科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tmr 芯片 制备 方法 | ||
1.一种TMR芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
晶圆清洗，采用有机溶剂和去离子水交替清洗晶圆，然后用惰性气体吹干晶圆，再将晶圆烘干；
离子清洗，对晶圆采用惰性气体进行离子清洗；
负偏压低气压磁控溅射，将晶圆放入溅射设备腔体中，使用偏压电源在晶圆和设备腔体之间施加-200～-2000V的负偏压，在低于0.3pa的气压条件下进行磁控溅射；
退火，退火温度为250～400℃。
2.如权利要求1所述的TMR芯片的制备方法，其特征在于：晶圆清洗的步骤如下：
用丙酮超声清洗10～30分钟；
用去离子水超声波清洗10～30分钟；
用异丙醇超声波清洗10～30分钟；
用去离子水超声波清洗10～30分钟；
用无水乙醇超声波清洗10～30分钟；
用惰性气体吹干；
烘干，烘烤温度为150℃，烘烤时间不小于2小时；
其中异丙醇清洗和无水乙醇清洗的顺序可调换。
3.如权利要求1或2所述的TMR芯片的制备方法，其特征在于：在对晶圆用有机溶剂和去离子水清洗之前，将晶圆放在N,N-二甲基甲酰胺中浸泡10～30分钟。
4.如权利要求1所述的TMR芯片的制备方法，其特征在于：离子清洗的步骤为：在真空状态下通入0.5～2pa压力的惰性气体，使用50～1000W的RF射频功率对晶圆清洗5～30min。
5.如权利要求1或4所述的TMR芯片的制备方法，其特征在于：在5.0E-3pa以下的真空状态下进行离子清洗。
6.如权利要求1或4所述的TMR芯片的制备方法，其特征在于：离子清洗通入的惰性气体为氩气。
7.如权利要求1所述的TMR芯片的制备方法，其特征在于：在低于5.0E-3pa的真空状态下进行退火处理，退火时间为1～2小时。
8.如权利要求1或7所述的TMR芯片的制备方法，其特征在于：退火时，升温速率不大于5℃/min。
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