[发明专利]光掩模坯料、光掩模坯料的制造方法、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模坯料，其在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，

所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模是通过对所述图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而得到的在所述透明基板上具有转印图案的光掩模，

所述图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，

所述图案形成用薄膜具有柱状结构，

所述图案形成用薄膜包含上层及下层，

构成所述上层中的柱状结构的粒子的平均尺寸小于构成所述下层中的柱状结构的粒子的平均尺寸。

2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中，

所述图案形成用薄膜中所含的所述过渡金属与所述硅的原子比率为过渡金属：硅＝1:3以上且1:15以下。

3.根据权利要求1或2所述的光掩模坯料，其中，

所述图案形成用薄膜至少含有氮或氧。

4.根据权利要求1或2所述的光掩模坯料，其中，

所述过渡金属为钼。

5.根据权利要求1或2所述的光掩模坯料，其中，

所述图案形成用薄膜为相移膜，其具备以下光学特性：对曝光光的代表波长的透射率为1％以上且80％以下、相位差为160°以上且200°以下。

6.根据权利要求1或2所述的光掩模坯料，其在所述图案形成用薄膜上具备对该图案形成用薄膜的蚀刻选择性不同的蚀刻掩模膜。

7.根据权利要求6所述的光掩模坯料，其中，

所述蚀刻掩模膜由含有铬但实质上不含硅的材料形成。

8.一种光掩模坯料的制造方法，该方法包括：通过溅射法在透明基板上形成含有过渡金属和硅的图案形成用薄膜，

在成膜室内使用包含过渡金属和硅的过渡金属硅化物靶，供给了溅射气体的所述成膜室内的溅射气体压力为0.8Pa以上且3.0Pa以下而形成所述图案形成用薄膜，

所述图案形成用薄膜包含上层及下层，

成膜所述上层时的所述成膜室内的溅射气体压力低于成膜所述下层时的所述成膜室内的溅射气体压力。

9.根据权利要求8所述的光掩模坯料的制造方法，其中，

所述过渡金属硅化物靶的所述过渡金属与硅的原子比率为过渡金属：硅＝1:3以上且1:15以下。

10.根据权利要求8或9所述的光掩模坯料的制造方法，其中，

使用溅射靶在所述图案形成用薄膜上形成蚀刻掩模膜，所述溅射靶由对该图案形成用薄膜的蚀刻选择性不同的材料形成。

11.根据权利要求10所述的光掩模坯料的制造方法，其中，

使用直列型溅射装置形成所述图案形成用薄膜及所述蚀刻掩模膜。

12.一种光掩模的制造方法，该方法包括：

准备权利要求1～5中任一项所述的光掩模坯料、或者通过权利要求8或9所述的光掩模坯料的制造方法制造的光掩模坯料的工序；以及

在所述图案形成用薄膜上形成抗蚀膜，以由所述抗蚀膜形成的抗蚀膜图案作为掩模，对所述图案形成用薄膜进行湿法蚀刻，在所述透明基板上形成转印图案的工序。

13.一种光掩模的制造方法，该方法包括：

准备权利要求6或7所述的光掩模坯料、或者通过权利要求10或11所述的光掩模坯料的制造方法制造的光掩模坯料的工序；

在所述蚀刻掩模膜上形成抗蚀膜，以由所述抗蚀膜形成的抗蚀膜图案作为掩模，对所述蚀刻掩模膜进行湿法蚀刻，在所述图案形成用薄膜上形成蚀刻掩模膜图案的工序；以及

以所述蚀刻掩模膜图案作为掩模，对所述图案形成用薄膜进行湿法蚀刻，在所述透明基板上形成转印用图案的工序。

14.一种显示装置的制造方法，该方法包括：

将通过权利要求12或13所述的光掩模的制造方法得到的光掩模放置于曝光装置的掩模台，将形成于所述光掩模上的所述转印图案曝光转印至形成于显示装置基板上的抗蚀剂的曝光工序。