[发明专利]SSD访问加速方法、装置、计算机设备及存储介质在审

专利信息
申请号: 202110243886.2 申请日: 2021-03-05
公开(公告)号: CN113010111A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 王猛;徐伟华;王伟良 申请(专利权)人: 深圳忆联信息系统有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 李莹
地址: 518067 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: ssd 访问 加速 方法 装置 计算机 设备 存储 介质
【说明书】:

本申请涉及一种SSD访问加速方法、装置、计算机设备及存储介质,其中该方法包括:将SSD内部物理区域进行划分,包括写缓冲区、读缓冲区及主存储区;在写缓冲区和读缓冲区中采用Enhance模式存储数据,在所述主存储区中采用Normal模式存储数据;定义主机交互命令,用于将指定区域的数据从所述主存储区搬移至所述读缓冲区;主机根据访问需求,通过发送相应的主机交互命令将经常访问的数据加载到所述读缓冲区中以提升后续的读取性能。本发明保留了SLC读缓冲区域,并定义了一种主机命令接口,通过该命令主机可以指定一些经常读取的数据,通知SSD将其加载到读缓存区中,当主机后续读取对应的数据时可以获得较高的性能。

技术领域

本发明涉及固态硬盘技术领域,特别是涉及一种SSD访问加速方法、装置、计算机设备及存储介质。

背景技术

目前,随着固态硬盘技术的发展,SSD(Solid State Disk,固态硬盘)已经被广泛应用于各种场合,在PC市场已经逐步替代传统的HDD(Hard Disk Drive,硬盘驱动器),从可靠性和性能方面为用户提供较好的体验。

在传统技术中,一般可以将NAND(计算机闪存设备)根据其Cell类型分为SLC/MLC/TLC/QLC等,其中SLC的读写性能最高。因此,在现有的SSD实现中,其内的物理块会分为两种类型区域,包括:Normal区域(即TLC/QLC),Enhance区域(SLC)。在现有的SSD方案,为了获取较高的性能,一般在SSD内部将部分物理块转换为SLC模式,用于主机数据写入,从而获得较高的性能。但由于转换为SLC模式会伴随物理容量的损失(例如TLC转换为SLC,可用容量为原来1/3),所以当SLC空间不足时,SSD内部后台会将数据从SLC搬移到TLC区域,以便为后续的主机写入提供空间。而在某些应用场景下,主机经常需要读取某些特定的数据,该数据由于总会被SSD内部从SLC搬移到TLC,所以其读取性能相对较低。

发明内容

基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种可以提高SSD读性能的SSD访问加速方法、装置、计算机设备及存储介质。

一种SSD访问加速方法,所述方法包括:

将SSD内部物理区域进行划分,包括写缓冲区、读缓冲区及主存储区;

在所述写缓冲区和读缓冲区中采用Enhance模式存储数据,在所述主存储区中采用Normal模式存储数据;

定义主机交互命令,所述主机交互命令用于将指定区域的数据从所述主存储区搬移至所述读缓冲区;

主机根据访问需求,通过发送相应的主机交互命令将经常访问的数据加载到所述读缓冲区中以提升后续的读取性能。

在其中一个实施例中,所述主机根据访问需求,通过发送相应的主机交互命令将经常访问的数据加载到所述读缓冲区中以提升后续的读取性能的步骤还包括:

当无主机访问请求时,将写缓冲区数据搬移到主存储区;

当主机发送特定的主机交互命令时,根据所述主机交互命令将指定区域中的用户数据从所述主存储区加载到读缓冲区。

在其中一个实施例中,所述在所述写缓冲区和读缓冲区中采用Enhance模式存储数据,在所述主存储区中采用Normal模式存储数据的步骤还包括:

当主机新写入数据时,判断SSD中Enhanced区是否有剩余空间;

若Enhanced区有剩余空间,则将数据直接写入所述写缓冲区;若Enhanced区无剩余空间,则将数据直接写入所述主存储区。

在其中一个实施例中,所述定义主机交互命令,所述主机交互命令用于将指定区域的数据从所述主存储区搬移至所述读缓冲区的步骤包括:

定义所述主机交互命令的数据传输字段为01b用于表述主机需要传输数据到SSD;

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