[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一叠层结构，所述第一叠层结构包括在垂直于所述衬底的方向上多层交替层叠设置的栅极牺牲层和绝缘层；

在所述第一叠层结构上形成隔离层；

形成穿过所述隔离层和所述第一叠层结构的第一沟道孔；

在所述第一沟道孔底部通过选择性外延生长形成外延层，其中，所述衬底相对于所述隔离层的选择性外延生长选择比，大于所述衬底相对于所述第一叠层结构背离所述衬底的最外层的选择性外延生长选择比。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一叠层结构通过所述栅极牺牲层与所述隔离层相接触。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述栅极牺牲层的材质为氮化硅，所述隔离层的材质为氧化硅或不含硅元素的绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一叠层结构通过所述绝缘层与所述隔离层相接触。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为氧化硅，所述隔离层的材质为不含硅元素的绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成穿过所述隔离层和所述第一叠层结构的第一沟道孔，具体包括：

刻蚀所述隔离层至所述第一叠层结构表面，以图案化所述隔离层；

将图案化的所述隔离层作为硬掩膜，刻蚀所述第一叠层结构至所述衬底，以形成第一沟道孔。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一沟道孔底部通过选择性外延生长形成外延层之后，还包括：

在所述第一沟道孔中形成覆盖所述外延层的保护层；

在所述第一沟道孔中形成覆盖所述保护层的牺牲材料层；

在所述第一叠层结构和所述牺牲材料层上形成第二叠层结构；

形成穿过所述第二叠层结构的第二沟道孔，所述第二沟道孔与所述第一沟道孔相连通；

经由所述第二沟道孔去除所述牺牲材料层和所述保护层。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一沟道孔底部通过选择性外延生长形成外延层之后，还包括：

在所述第一沟道孔的侧壁上依次沉积作为存储功能层的第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，以及作为沟道的半导体层。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

形成在垂直于所述衬底的方向上贯穿所述第一叠层结构的栅线缝隙；

通过所述栅线缝隙将所述第一叠层结构中的所述栅极牺牲层置换成栅极层。

10.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的第一叠层结构，所述第一叠层结构包括在垂直于所述衬底的方向上多层交替层叠设置的栅极层和绝缘层；

位于所述第一叠层结构上的隔离层；

穿过所述隔离层和所述第一叠层结构的第一沟道孔；

位于所述第一沟道孔底部的外延层，所述外延层通过选择性外延生长得到，且所述衬底相对于所述隔离层的选择性外延生长选择比，大于所述衬底相对于所述第一叠层结构背离所述衬底的最外层的选择性外延生长选择比。