[发明专利]一种基因检测装置在审
申请号: | 202110244623.3 | 申请日: | 2021-03-05 |
公开(公告)号: | CN113005024A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 侯红伟 | 申请(专利权)人: | 山东砚鼎电子科技有限公司 |
主分类号: | C12M1/34 | 分类号: | C12M1/34;C12M1/00 |
代理公司: | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人: | 叶宇 |
地址: | 250000 山东省济南市历*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基因 检测 装置 | ||
本发明提供了一种基因检测装置,本发明利用基因配对层上方设置金属盖层,可以保证密封性,且利用与第一绝缘层相同材质的第二绝缘层作为支撑层,保护该金属盖层。金属盖层的标准电位被特殊的设计,可以保护基因配对层和电极层,且金属盖层可以很灵活的与外部连接端子电连接,使得其与电极层的电位相同。
技术领域
本发明涉及智能芯片领域,特别是基因检测芯片封装领域,具体涉及一种基因检测装置。
背景技术
近年来,利用DNA等遗传信息的生物技术作为一大产业迅速发展起来,有关疾病的诊断,治疗等新技术的开发非常盛行,但是DNA所具有的信息量非常多,在进行具体检查时需要同时使用多种DNA,开发出了多种能够简单且迅速地检测出目标DNA的基因检测芯片。
上述基因检测芯片需要反复使用或长时间运输,且需要在水氧富裕的环境中使用较长时间,对于检测电极以及基因配对靶的可靠性不利的,水氧的存在可以对电极造成腐蚀,且会使得基因配对靶损毁。
发明内容
基于解决上述问题,本发明提供了一种基因检测装置的制造方法,其包括以下步骤:
(1)在基板上形成电极层,所述电极层的材质为第一金属;
(2)在所述电极层上覆盖第一绝缘层,所述第一绝缘层具有多个凹槽,所述多个凹槽的底部露出所述电极层;
(3)在所述多个凹槽内依次形成缓冲导电层、基因配对层和牺牲层,所述牺牲层的顶面与所述第一绝缘层的顶面齐平;
(4)在所述第一绝缘层和所述牺牲层上形成图案化的金属盖层,所述金属盖层完全覆盖所述多个凹槽,且所述金属盖层包括第二金属;
(5)在所述金属盖层上覆盖第二绝缘层,在所述第二绝缘层中形成多个第一贯通孔,所述多个第一贯通孔同时贯穿所述金属盖层且露出所述牺牲层;
(6)移除所述牺牲层,以使得所述基因配对层露出;
(7)形成贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述金属盖层的多个导电柱,所述导电柱电连接所述金属盖层。
其中,在步骤(5)和步骤(6)之间还包括:通过所述多个第一贯通孔湿法蚀刻所述金属盖层,以使得所述金属盖层中形成对应于所述多个第一贯通孔的多个第二贯通孔,其中,所述多个凹槽的口径大于所述多个第二贯通孔的孔径,所述多个第二贯通孔的孔径大于所述第一贯通孔的孔径。
其中,所述金属盖层包括叉指状的两个部分,每个部分包括沿着第一方向延伸的连接部和沿着第二方向延伸的多个指状部,所述第一方向和第二方向垂直,所述多个指状部与所述连接部连接。
其中,所述多个第二贯通孔形成于所述多个指状部,所述导电柱贯穿所述连接部。
其中,所述第二金属的标准电位低于所述第一金属的标准电位,其中,所述第一金属为Pt或Au,第二金属为Cu或Al。
本发明还提供了一种基因检测装置,其根据上述的制造方法形成,其包括:
基板;
电极层,形成于所述基板上,且所述电极层的材质为第一金属;
第一绝缘层,覆盖于在所述电极层上,所述第一绝缘层具有多个凹槽,所述多个凹槽的底部露出所述电极层;
缓冲导电层,形成于所述多个凹槽内的电极层上;
基因配对层,形成于所述缓冲导电层上;
图案化的金属盖层,形成在所述第一绝缘层上,所述金属盖层包括对应于所述多个凹槽的多个第二贯通孔,且所述金属盖层包括第二金属;
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