[发明专利]DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备在审
申请号: | 202110245490.1 | 申请日: | 2021-03-05 |
公开(公告)号: | CN113035259A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 孙成思;孙日欣;雷泰 | 申请(专利权)人: | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/08 | 分类号: | G11C29/08 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 刘晓燕 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dram 测试 方法 装置 可读 存储 介质 电子设备 | ||
1.一种DRAM测试方法,其特征在于,包括步骤:
对待测试的DRAM进行两轮测试,分别得到第一比较结果和第二比较结果;
所述测试包括:
对所述待测试的DRAM的存储阵列写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据;
以预设测试单元为单位对所述存储阵列进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元,所述预设测试单元包括所述存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元;
对于遍历到的目标测试单元,基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作,将读取的数据与对应写入的数据进行比较;
第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数;
根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果。
2.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法,其特征在于,所述对所述待测试的DRAM的存储阵列写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据包括:
以预设突发长度为单位从所述待测试的DRAM的存储阵列的每一预设读写单元的低位地址开始写入所述预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据;
所述预设读写单元包括行或列。
3.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法,其特征在于,所述以预设测试单元为单位对所述存储阵列进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元包括:
以预设测试单元为单位对所述存储阵列按照预设方向进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元。
4.根据权利要求3所述的一种DRAM测试方法,其特征在于,所述预设方向包括行方向或列方向;
所述第一轮测试和所述第二轮测试的预设方向不同。
5.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法,其特征在于,所述基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作包括:
基于所述预设测试数据按照所述目标测试单元中各个存储体的序号顺序对所述目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的一种DRAM测试方法,其特征在于,对于每一预设操作单元,在进行所述比较之后,向所述预设操作单元写入所述预设测试数据的反数;
所述第二轮测试还包括步骤:
读取所述待测试的DRAM的所有预设测试单元的数据,将读取到的数据与对应写入的数据进行比较。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的一种DRAM测试方法,其特征在于,所述根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果包括:
若所述第一比较结果与所述第二比较结果均为比较结果一致,则测试结果为成功;否则,测试结果为失败。
8.一种DRAM测试装置,其特征在于,包括:
数据读写模块,用于对待测试的DRAM进行两轮测试,分别得到第一比较结果和第二比较结果;
所述测试包括:
对所述待测试的DRAM的存储阵列写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据;
以预设测试单元为单位对所述存储阵列进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元,所述预设测试单元包括所述存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元;
对于遍历到的目标测试单元,基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作,将读取的数据与对应写入的数据进行比较;
第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数;
测试模块,用于根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果。
9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的一种DRAM测试方法中的各个步骤。
10.一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述的一种DRAM测试方法中的各个步骤。
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