[发明专利]激光元件

说明书

本发明公开一种激光元件，其特征在于，包括：基板；下反射层，布置在上述基板上；激光腔，布置在上述下反射层上；及上反射层，布置在上述激光腔上，其中，上述下反射层包括多个第一子反射层和多个第二子反射层，上述第一子反射层包括磷，上述磷的组成为0.1％至20％。

技术领域

实施例涉及一种激光元件。

背景技术

垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser；VCSEL)是一种在垂直于基板的方向上发射激光的半导体激光器。一般而言，垂直腔面发射激光器可以由下反射层、激光腔、上反射层及电极构成。

当上反射层或下反射层具有AlAs/AlGaAsDBR结构时，可能易于散热。然而，这种结构具有在形成氧化物开口的氧化工序中AlAs反射层过度氧化的问题，而且，还具有因在外延生长过程中由于晶体失配引起的AlAs反射层的应变(strain)而晶圆弯曲的问题。

发明内容

发明所要解决的问题

实施例提供散热优异且可以抑制反射层的氧化的垂直腔面发射激光器。

并且，实施例提供基板的平坦度得到改善的垂直腔面发射激光器。

应理解，在实施例中要解决的问题不限于这些问题，还包括从下述的解决问题的方案或实施实时方式可以理解的目的和效果。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个方面的激光元件包括：基板；下反射层，布置在上述基板上；激光腔，布置在上述下反射层上；及上反射层，布置在上述激光腔上，其中，上述下反射层包括多个第一子反射层和多个第二子反射层，上述第一子反射层包括磷(P)，上述磷的组成为0.1％至20％。

上述磷的组成可以为0.1％至5％。

上述第一子反射层可以包括AlAsP，上述第二子反射层可以包括AlGaAs。

上述下反射层可以包括第一下反射层和第二下反射层，上述第一下反射层布置在上述基板上，上述第二下反射层布置在上述第一下反射层与上述激光腔之间，上述第二下反射层的铝平均组成可以低于上述第一下反射层的铝平均组成。

上述第二下反射层的整个厚度可以小于上述第一下反射层的整个厚度。

上述第二下反射层可以包括多个第三子反射层和多个第四子反射层，上述第二反射层、上述第三反射层、上述第四子反射层都可以具有相同的组成，上述第一子反射层的组成与上述第二反射层、上述第三反射层、上述第四子反射层的组成可以不同。

上述上反射层可以包括多个第五子反射层和多个第六子反射层，

上述第五子反射层可以包括磷。

上述第五子反射层的磷的组成与上述第一子反射层的磷的组成可以不同。

上述多个第五子反射层的磷的组成可以随着远离上述激光腔而连续变化。

上述多个第五子反射层的磷的组成可以越远离上述激光腔越高。

上述多个第一子反射层的磷的组成可以越远离上述激光腔越高。

上述激光元件还可包括布置在上述激光腔与上述上反射层之间的氧化物层，上述氧化物层可以包括形成在其中央的氧化物开口。