[发明专利]镓金属薄膜的制作方法以及氮化镓衬底的保护方法

权利要求书

1.一种镓金属薄膜的制作方法，其特征在于，利用金属有机化学气相沉积法在衬底的表面制作形成镓金属薄膜。

2.根据权利要求1所述的镓金属薄膜的制作方法，其特征在于，所述利用金属有机化学气相沉积法在衬底的表面制作形成镓金属薄膜，包括：

将衬底装载于金属有机化合物化学气相沉积设备的反应室的基座上；

将所述反应室的温度加热至预定温度，并使所述基座以预定转速进行旋转；

在所述预定温度以及所述预定转速下以预定气流量向所述反应室内通入镓源气体，以沉积形成镓金属薄膜。

3.根据权利要求2所述的镓金属薄膜的制作方法，其特征在于，在所述将所述反应室内的温度加热至预定温度的同时，所述利用金属有机化学气相沉积法在衬底的表面制作形成镓金属薄膜还包括：向所述反应室内通入氮气和氨气。

4.根据权利要求3所述的镓金属薄膜的制作方法，其特征在于，在所述在所述预定温度下向所述反应室内通入镓源气体的同时，所述利用金属有机化学气相沉积法在衬底的表面制作形成镓金属薄膜还包括：持续向所述反应室内通入氮气和氨气。

5.根据权利要求3或4所述的镓金属薄膜的制作方法，其特征在于，所述向所述反应室内通入氮气和氨气，包括：通过所述金属有机化合物化学气相沉积设备的第一气体通道向所述反应室通入氮气和氨气，且通过所述金属有机化合物化学气相沉积设备的第二气体通道向所述反应室通入氮气，且通过所述金属有机化合物化学气相沉积设备的第三气体通道向所述反应室通入氨气。

6.根据权利要求5所述的镓金属薄膜的制作方法，其特征在于，所述在所述预定温度以及所述预定转速下向所述反应室内通入镓源气体，具体包括：在所述预定温度以及所述预定转速下通过所述第二气体通道向所述反应室通入镓源气体。

7.根据权利要求2所述的镓金属薄膜的制作方法，其特征在于，所述利用金属有机化学气相沉积法在衬底的表面制作形成镓金属薄膜，还包括：

在保持所述预定转速和所述镓源气体的预定气流量的情况下，停止向所述反应室内通入氨气，并使所述预定温度降低至室温。

8.根据权利要求7所述的镓金属薄膜的制作方法，其特征在于，所述利用金属有机化学气相沉积法在衬底的表面制作形成镓金属薄膜，还包括：

停止向所述反应室内通入所述镓源气体和所述氮气，并使所述基座停止旋转，再次向所述反应室通入氮气之后打开所述反应室，以取出制备完成的镓金属薄膜。

9.根据权利要求2所述的镓金属薄膜的制作方法，其特征在于，所述镓源气体的预定气流量为42sccm～45sccm。

10.一种氮化镓衬底的保护方法，其特征在于，包括：利用权利要求1至9任一项所述的制作方法在氮化镓衬底的表面制作形成镓金属薄膜。