[发明专利]存储设备日志生成方法及其存储设备

说明书

公开了存储设备日志生成方法及其存储设备。所提供的存储设备的日志生成方法，包括：基于向存储设备发出的写请求，记录该写请求所对应的用于存储设备的逻辑地址与物理地址；使用多个写请求所对应的多个用于存储设备的逻辑地址与物理地址，生成写请求日志数据帧；获取FTL表的部分，生成FTL日志数据帧，其中FTL表反应了所述存储设备的逻辑地址与物理地址的对应关系；在NVM上存储所述写请求日志数据帧与所述FTL日志数据帧；以及记录在NVM上存储所述FTL日志数据帧的地址。

技术领域

本发明涉及电子设备，更具体地，本发明涉固态硬盘的日志生成方法、启动方法及其装置。

背景技术

参看图1，以固态存储设备(Solid Storage Device,SSD)作为电子设备的举例，图1展示了存储设备的框图。存储设备102同主机相耦合，用于为主机提供存储能力。主机同存储设备102之间可通过多种方式相耦合，耦合方式包括但不限于通过例如SATA、IDE、USB、PCIE、NVMe(NVM Express)、SCSI、以太网、光纤通道、无线通信网络等连接主机与存储设备102。主机可以是能够通过上述方式同存储设备相通信的信息处理设备，例如，个人计算机、平板电脑、服务器、便携式计算机、网络交换机、路由器、蜂窝电话、个人数字助理等。存储设备102包括接口103、控制部件104、一个或多个NVM(非易失存储器，Non-Volatile Memory)存储芯片105以及固件存储器110。接口103可适配于通过例如SATA、IDE、USB、PCIE、NVMe、SCSI、以太网、光纤通道等方式与主机交换数据。控制部件104用于控制在接口103、NVM存储芯片105以及固件存储器110之间的数据传输，还用于存储管理、主机逻辑地址到闪存物理地址映射、擦除均衡、坏块管理等。可通过软件、硬件、固件或其组合的多种方式实现控制部件104。控制部件104可以是FPGA(Field-programmable gate array，现场可编程门阵列)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit，应用专用集成电路)或者其组合的形式。控制部件104也可以包括处理器或者控制器。控制部件104在运行时从固件存储器110加载固件。固件存储器110可以是NOR闪存、ROM、EEPROM等。固件用于提供电子设备底层功能，诸如BIOS、操作系统加载等。

存储器目标(Target)是NAND闪存封装内的共享芯片使能(CE,Chip Enable)信号的一个或多个逻辑单元(Logic Unit)。每个逻辑单元具有逻辑单元号(LUN,Logic UnitNumber)。NAND闪存封装内可包括一个或多个管芯(Die)。典型地，逻辑单元对应于单一的管芯。逻辑单元可包括多个平面(Plane)。逻辑单元内的多个平面可以并行存取，而NAND闪存芯片内的多个逻辑单元可以彼此独立地执行命令和报告状态。在可从

http://www.micron.com/～/media/Documents/Products/Other％20Documents/ONFI3_0Gol d.ashx获得的“Open NAND Flash Interface Specification(Revision3.0)”中，提供了关于目标(target)、逻辑单元、LUN、平面(Plane)的含义。

MLC(Multi-Level Cell，多级单元)NVM是在每个存储单元中能够存储至少两比特信息的非易失性存储器。同SLC(Single Level Cell)NVM相比，具有存储容量大，成本低的特点，但存储的可靠性不如SLC，可能发生数据损坏或丢失。

在固态存储设备中，利用FTL(Flash Translation Layer，闪存转换层)来维护从逻辑地址到物理地址的映射信息。逻辑地址构成了操作系统等上层软件所感知到的固态存储设备的存储空间。物理地址是用于访问固态存储设备的物理存储单元的地址。在现有技术中还可利用中间地址形态实施地址映射。例如将逻辑地址映射为中间地址，进而将中间地址进一步映射为物理地址。