[发明专利]一种固结磨料抛光垫及易潮解KDP晶体干式抛光方法

权利要求书

1.一种固结磨料抛光垫，其特征在于：所述固结磨料抛光垫中包含磨粒、反应物、催化剂、固化剂和结合剂，所述的抛光垫用于晶体的干式抛光；所述磨粒为二氧化硅、氧化铈、氧化铝、碳化硅中的一种或一种以上的组合；

所述反应物与KDP晶体在抛光过程中发生固相化学反应，所述反应物为氢氧化钾、碳酸钾、碳酸氢钾、草酸钾中的一种或一种以上组合；

所述催化剂促进固相化学反应，所述催化剂为脂肪酰胺磺基琥珀酸单酯、N-月桂酰基肌氨酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠中的一种或一种以上组合；

抛光垫中所述反应物的质量分数为5%~40%，所述催化剂的质量分数为0.1%~10%，所述磨粒的质量分数为10%~60%，其余成分为固化剂和结合剂。

2.根据权利要求1所述的固结磨料抛光垫，其特征在于，所述的磨粒粒径为0.5~5μm。

3.一种易潮解KDP晶体干式抛光方法，其特征在于：采用固结磨料抛光垫抛光KDP晶体，所述固结磨料抛光垫中包含磨粒、反应物、催化剂、固化剂和结合剂，反应物与KDP晶体发生固相化学反应生成过渡层，过渡层在磨粒的机械作用下被去除，得到光滑表面；

所述固结磨料抛光垫中的反应物与KDP晶体在抛光过程中发生固相化学反应，所述反应物为氢氧化钾、碳酸钾、碳酸氢钾、草酸钾中的一种或一种以上组合。

4.根据权利要求3所述的易潮解KDP晶体干式抛光方法，其特征在于，所述固结磨料抛光垫中的磨粒为二氧化硅、氧化铈、氧化铝、碳化硅中的一种或一种以上的组合，粒径在0.5~5μm之间。

5.根据权利要求3所述的易潮解KDP晶体干式抛光方法，其特征在于，

所述固结磨料抛光垫中的催化剂促进固相化学反应，所述催化剂为脂肪酰胺磺基琥珀酸单酯、N-月桂酰基肌氨酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠中的一种或一种以上组合。

6.根据权利要求3所述的易潮解KDP晶体干式抛光方法，其特征在于：所述反应物的质量分数为5%~40%，所述催化剂的质量分数为0.1%~10%，磨粒质量分数为10%~60%，其余成分为固化剂和结合剂。