[发明专利]加强环

说明书

本发明公开的实施方式提供了适合用于硅裸片靠近封装边缘的ASIC封装件中的比硅高的加强环。加强环被配置为允许接近紧邻ASIC封装件边缘的硅裸片的背面的直接散热。用于ASIC封装件的加强环具有不均匀的横截面，并且可以包括阶梯状的横截面。加强环可以包括高度大于外围硅裸片的高度的第一区段和高度小于或等于硅裸片的高度的第二区段。

技术领域

本发明涉及一种用于ASIC封装件的加强环。更具体地，本发明涉及一种加强环，该加强环被配置成允许到位于紧邻ASIC封装件的边缘的硅裸片的背面的直接散热通路，不论该ASIC封装件是多芯片模块还是单裸片封装件。

背景技术

高功率ASIC可以使用加强环来封装，该加强环允许通过散热器到硅裸片的背面的直接散热通路。为了改善机械支撑并减少ASIC封装件的翘曲，有时将加强环设计为高于硅裸片。但是，迄今为止，现有技术未能提供适合用于硅裸片靠近封装边缘的ASIC封装件中的比硅高的加强环，因此，现有技术的加强环限制了散热器接近硅裸片的背面。图1(图1A和图1B)图示了该问题，图1是概念图，在图1A中示出了沿图1B的AA平面截取的ASIC封装件10的横截面，该ASIC封装件10设置有位于紧邻加强环12的裸片11，该加强环12比裸片11高。如图所示，在重叠的体积14中，散热器13可占据与加强环12相同的空间。因此，散热器13在实际情况下不能与裸片11接触。使用与图1A和图1B相同的数字，在图1C中示出了实际情况。在图1A中，为简单起见，封装件基座由数字15表示，并在其他图中省略。

因此，能够提供一种克服现有技术的上述缺点的加强环将是非常有利的。因此，本发明的目的是提供一种高于硅的加强环，该加强环适用于硅裸片靠近封装件边缘的ASIC封装件，并且允许散热器接近硅裸片的背面。

通过以下参考附图对本发明的实施方式的说明性和非限制性描述，本发明的上述和其他特征和优点将变得更加明显。

发明内容

一方面，本发明涉及一种用于ASIC封装件的加强环，所述加强环具有不均匀的横截面。在本发明的一个实施方式中，所述加强环具有阶梯状的横截面。在本发明的另一实施方式中，所述加强环包括：高度大于外围硅裸片的高度的第一区段，和高度小于或等于所述硅裸片的高度的第二区段。在本发明的实施方式中，所述加强环的所述第一区段包括斜切部分，所述斜切部分可以形成为等于或不同于45°的角度。

根据本发明的特定实施方式，所述加强环可以具有所述第一区段的横截面，所述横截面具有笔直或非笔直的轮廓。类似地，所述加强环的所述第二区段的横截面可以具有笔直或非笔直的轮廓。

本发明还包括一种ASIC封装件，所述ASIC封装件包括具有不均匀横截面的加强环。

附图简要说明

在附图中：

图1(图1A和图1B)是使用比外围裸片更高的加强环引起的问题的概念图。

图1C示出了使用比外围裸片更高的加强环存在的实际情况。

图2(图2A和图2B)以横截面示意性地图示了采用窄加强环的ASIC封装件。

图3(图3A和图3B)以横截面示意性地图示了ASIC封装件，该ASIC封装件采用高度比周边硅裸片的高度更低的加强环。

图4(图4A和图4B)示意性地示出了采用根据本发明的加强环的ASIC封装件的横截面。

图5是采用根据本发明的加强环的ASIC封装件的示意性透视图，其中散热器被移除；以及

图6示意性地示出了根据本发明的另一实施方式的采用加强环的单裸片ASIC封装件的横截面。

具体实施方式