[发明专利]温度补偿型薄膜体声波谐振器及其形成方法、电子设备

权利要求书

1.一种温度补偿型薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：基底、第一电极和第二电极、压电薄膜和温度补偿层，其中，所述温度补偿层的材料为N型或P型掺杂硅，

其中，当谐振器用于滤波器时，所述温度补偿层用于调整谐振器的一阶频率温漂系数；当谐振器用于振荡器时，所述温度补偿层用于调整谐振器的二阶频率温漂系数或者同时调整谐振器的一阶和二阶频率温漂系数。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层为掺杂单晶硅。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层的掺杂浓度大于10¹⁹/cm³。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层的电阻率小于5mΩ·cm。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层的厚度为0.1微米至10微米。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器的谐振模式为厚度伸缩模式，并且所述压电薄膜为氮化铝或者掺杂氮化铝。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，谐振频率范围为100MHz至30GHz。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述基底支撑所述温度补偿层，所述温度补偿层之上具有依次堆叠的所述第一电极、所述压电薄膜和所述第二电极。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述基底之上具有支撑层，所述支撑层的顶表面具有空气腔，所述支撑层之上具有依次堆叠的所述温度补偿层、所述压电薄膜和所述第二电极，所述第一电极位于所述温度补偿层下方并且位于所述空气腔内部。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述基底支撑所述温度补偿层，所述温度补偿层之上具有依次堆叠所述压电薄膜和所述第二电极，所述第一电极位于所述温度补偿层的下方。

11.根据权利要求10所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极为对称结构。

12.根据权利要求1至7中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述基底之上具有支撑层，所述支撑层的顶表面具有空气腔，所述支撑层之上具有依次堆叠的所述温度补偿层、所述第一电极、所述压电薄膜和所述第二电极。

13.一种温度补偿型薄膜体声波谐振器的形成方法，其特征在于，包括：

在基底之上形成温度补偿层；

在所述温度补偿层之上形成第一电极；

在所述第一电极之上形成压电薄膜；

在所述压电薄膜之上形成第二电极；

在所述第二电极之上先后形成临时键合层；

在所述临时键合层之上形成临时基底；

倒转当前半导体结构，刻蚀所述基底以形成空气腔；

倒转当前半导体结构，去除所述临时键合层和临时基底，

其中，当谐振器用于滤波器时，所述温度补偿层用于调整谐振器的一阶频率温漂系数；当谐振器用于振荡器时，所述温度补偿层用于调整谐振器的二阶频率温漂系数或者同时调整谐振器的一阶和二阶频率温漂系数。