[发明专利]一种纳米阵列结构Cu-Cu3

权利要求书

1.一种纳米阵列结构Cu-Cu₃P材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、将水、葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮混合后搅拌3h以上，得到澄清的混合溶液；

步骤二、在搅拌条件下，向步骤一中得到的澄清的混合溶液中滴加硫酸铜溶液，并继续在室温下搅拌30min～60min，然后转移到水热反应釜中在160℃～200℃下反应2.5h～4h；

步骤三、将步骤三中反应得到的产物离心后依次采用去离子水和无水乙醇洗涤，经真空干燥后得到铜纳米片；

步骤四、向步骤三中得到的铜纳米片中加入水、氢氧化钠和过氧化氢溶液，并置于水热反应釜中，置于110℃～150℃下保温反应6h～14h；所述水、氢氧化钠与过氧化氢溶液中过氧化氢的质量比为50～150:1.6～8:4.5～27.8，铜纳米片与氢氧化钠的摩尔比为0.03～0.78:4～20；

步骤五、将步骤四中保温反应得到的产物冷却至室温后离心，然后依次采用去离子水和无水乙醇洗涤，经干燥后得到纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体；

步骤六、将步骤五中得到的纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与次亚磷酸钠分别放置在两个瓷舟中，然后放置于管式炉中，在氩气保护、250℃～350℃条件下煅烧1h～2h，得到纳米阵列结构Cu-Cu₃P材料；所述纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与次亚磷酸钠的质量比为1:1～4。

2.根据权利要求1所述的一种纳米阵列结构Cu-Cu₃P材料的制备方法，其特征在于，步骤一中所述澄清的混合溶液中水、葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮的质量比为25:0.5～1:0.2～1。

3.根据权利要求1所述的一种纳米阵列结构Cu-Cu₃P材料的制备方法，其特征在于，步骤二中所述硫酸铜溶液中硫酸铜与步骤一中葡萄糖的物质的量之比为1:2.5～5。

4.根据权利要求1所述的一种纳米阵列结构Cu-Cu₃P材料的制备方法，其特征在于，步骤五中所述干燥为真空干燥，真空干燥采用的烘箱温度为40℃～80℃。

5.根据权利要求1所述的一种纳米阵列结构Cu-Cu₃P材料的制备方法，其特征在于，步骤六中所述管式炉中盛放有纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与次亚磷酸钠的两个瓷舟的间距不小于10cm。