[发明专利]一种辐射热流调制器件及其应用

权利要求书

1.一种辐射热流调制器件，其特征在于，所述辐射热流调制器件包括第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体和第二辐射体相对设置，所述第一辐射体和第二辐射体的间距为10nm-10μm；

所述第一辐射体设有相变层；

所述相变层采用如下两种方式之一设置：

悬空设置；

或者还包括第一基底，所述相变层覆盖于所述第一基底上，所述第一基底含有孔隙或非金属材料，所述孔隙或非金属材料占所述第一基底的20%（V/V）以上；

所述第二辐射体靠近所述第一辐射体的一侧设有极性介电体层，所述极性介电体层包含30%-100%（V/V）的极性介电体材料。

2.如权利要求1所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述相变层的厚度为1nm-10μm。

3.如权利要求2所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述相变层的厚度为1nm-100nm。

4.如权利要求1所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述相变层包含30%-100%（V/V）的相变材料。

5.如权利要求4所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述相变材料为金属-绝缘体相变材料。

6.如权利要求5所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述金属-绝缘体相变材料选自AIST、LCSMO、钒的氧化物、钛的氧化物、钙钛矿型稀土过渡金属氧化物、四氧化三铁、二氧化铌、Pr_0.7Ca_0.3MnO₃中的一种或两种以上的组合。

7.如权利要求6所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述金属-绝缘体相变材料为钒的氧化物。

8.如权利要求7所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述金属-绝缘体相变材料为二氧化钒。

9.如权利要求1所述的辐射热流调制器件，其特征在于，在所述第一基底远离所述相变层的一侧设有第一金属层，所述第一辐射体和第二辐射体之间垂直线中点距所述第一金属层的距离为10nm-100mm。

10.如权利要求9所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述第一基底的厚度为1nm-100mm。

11.如权利要求9所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述第一金属层的厚度为1nm-100mm。

12.如权利要求1所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述极性介电体层的厚度为1nm-100mm。

13.如权利要求1所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述极性介电体材料选自立方氮化硼、碳化硅、二氧化硅、六角氮化硼、氮化镓、氧化镁、硒化锌、硫化锌、蓝宝石、碲化镉、溴化铯、碘化铯、溴化银、氯化银、氯化钠、溴化钾、氯化钾、氟化钡、氟化铯、氟化钙、氟化锂中的一种或两种以上的组合。

14.如权利要求1所述的辐射热流调制器件，其特征在于，在所述极性介电体层远离所述第一辐射体的一侧设有第二金属层，所述第一辐射体和第二辐射体之间垂直线中点距所述第二金属层的距离为10nm-100mm。

15.如权利要求14所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述第二金属层的厚度为1nm-100mm。

16.如权利要求14所述的辐射热流调制器件，其特征在于，在所述极性介电体层远离所述第一辐射体的一侧还设有第二基底，所述第二基底由非金属材料组成。

17.如权利要求16所述的辐射热流调制器件，其特征在于，所述第二基底的厚度为1nm-100mm。